Features of F[2] Centers Accumulation in Oxygen-Containing LiF Crystals; Advanced Materials Research : Advanced materials, synthesis, development and application; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Advanced Materials Research : Advanced materials, synthesis, development and application: Scientific Journal Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013).— 2014.— [P. 62-67]
Autor principal:	Lisitsyna L. A.
Autor Corporativo:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Otros Autores:	Kassymkanova R., Lisitsyn V. M. Viktor Mikhailovich
Sumario:	Title screen A mechanism for correlated formation of intrinsic defects F[2] centers and impurity hole centers with hydrogen bond in oxygen-containing LiF crystals is suggested. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Lenguaje:	inglés
Publicado:	2014
Colección:	Diagnostics and Engineering of Novel Materials
Materias:	электронный ресурс труды учёных ТПУ накопление наноразмерные частицы кристаллы
Acceso en línea:	http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.880.62
Formato:	Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640661

Internet