Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP

Bibliografiska uppgifter
Parent link:	Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии: сборник трудов II Международной Интернет-Конференции, Казань, 15-18 ноября 2011 г./ Казанский (Приволжский) федеральный университет (КФУ) ; отв. ред. Е. Д. Изотова.— , 2012 Т. 2.— 2012.— [С. 219]
Huvudupphovsman:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Institutionella upphovsmän:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Sammanfattning:	Заглавие с экрана
Språk:	ryska
Publicerad:	2012
Ämnen:	электронный ресурс труды учёных ТПУ наноразмерные гетероструктуры InGaAlP получение эпитаксиальные методы эпитаксия
Länkar:	http://www.paxgrid.ru/proceedings_postgenom2011.pdf#page=219
Materialtyp:	Elektronisk Bokavsnitt
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640611

Liknande verk

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
av: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicerad: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
av: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicerad: (2012)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
av: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicerad: (2016)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
av: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicerad: (2014)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
av: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicerad: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
av: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicerad: (2012)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
av: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicerad: (2013)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
av: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicerad: (2013)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Publicerad: (2013)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
av: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicerad: (2013)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures
av: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicerad: (2019)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
av: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicerad: (2019)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
av: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicerad: (2012)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
av: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicerad: (2013)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
av: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicerad: (2015)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
av: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicerad: (2014)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
av: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicerad: (Новосибирск, 2025)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons
av: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicerad: (2014)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
av: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicerad: (2012)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами
av: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicerad: (2011)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
av: Цзысюань Ли
Publicerad: (2023)

Эпитаксиальные пленки
av: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Publicerad: (Москва, Наука, 1971)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании
av: Киреева А. Е.
Publicerad: (2016)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.12.11
av: Чижевич Л. А.
Publicerad: (Томск, [Б. и.], 1974)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Publicerad: (2016)

Spectral Characteristics of Photoluminescence Synthesized in the Field of Radiation YAGG Phosphors with Different Al/Ga Ratio
Publicerad: (2024)

Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения
Publicerad: (2019)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
av: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Publicerad: (2016)

Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития
av: Асеев А. Л.
Publicerad: (2003)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
av: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Publicerad: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
av: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Publicerad: (Нальчик, 2013)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал
av: Рандошкин В. В.
Publicerad: (2004)

Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
Publicerad: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
av: Шашурин В. Д.
Publicerad: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
av: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicerad: (2015)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
av: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicerad: (Томск, [Б. и.], 2018)

Changing the Shape of Watt-Ampere Characteristic of LEDs Based upon GaP ([lambda]=590 nm) Irradiated by Gamma-Quanta
av: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicerad: (2019)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
av: Александрова О. А.
Publicerad: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур [монография]
av: Корольков В. И. Владимир Ильич
Publicerad: (Ташкент, Фан, 1986)

Разработка методов и средств обеспечения и прогнозирования надёжности элементной базы на основе наноразмерных A3B5 резонансно-туннельных гетероструктур для радиоэлектронных систем навигации и управления ракетно-космической техникой
av: Макеев М. О.
Publicerad: (2017)