Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2

Podrobná bibliografie
Parent link:	Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии: сборник трудов II Международной Интернет-Конференции, Казань, 15-18 ноября 2011 г./ Казанский (Приволжский) федеральный университет (КФУ) ; отв. ред. Е. Д. Изотова.— , 2012 Т. 2.— 2012.— [С. 219]
Hlavní autor:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Korporace:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Shrnutí:	Заглавие с экрана
Jazyk:	ruština
Vydáno:	2012
Témata:	электронный ресурс труды учёных ТПУ наноразмерные гетероструктуры InGaAlP получение эпитаксиальные методы эпитаксия
On-line přístup:	http://www.paxgrid.ru/proceedings_postgenom2011.pdf#page=219
Médium:	Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640611

Podobné jednotky

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2016)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2013)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2013)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2014)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2012)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Vydáno: (2013)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures; Materials Science Forum; Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2019)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2013)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
Autor: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Vydáno: (Новосибирск, 2025)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2013)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2019)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
Autor: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Vydáno: (2012)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2015)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
Autor: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Vydáno: (2014)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
Autor: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Vydáno: (2014)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
Autor: Цзысюань Ли
Vydáno: (2023)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2012)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами; Проблемы фундаментальных и прикладных естественных и технических наук в современном информационном обществе. Общая и прикладная физика
Autor: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Vydáno: (2011)

Эпитаксиальные пленки
Autor: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Vydáno: (Москва, Наука, 1971)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
Autor: Чижевич Л. А.
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 1974)

Эпитаксиальные образования в природе и их учет в землепользовании; Проблемы геологии и освоения недр; Т. 2
Autor: Киреева А. Е.
Vydáno: (2016)

Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения; Информационные технологии (IT) в контроле, управлении качеством и безопасности
Vydáno: (2019)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Vydáno: (2016)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Autor: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Vydáno: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
Autor: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Vydáno: (Нальчик, 2013)

Эпитаксиальные пленки на основе гадолиний-галлиевого граната как перспективный магнитооптический и оптически-активный материал; Наукоемкие технологии; № 11
Autor: Рандошкин В. В.
Vydáno: (2004)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
Autor: Шашурин В. Д.
Vydáno: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Физика и технология гетероструктур III-V: современное состояние и тенденции развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Autor: Асеев А. Л.
Vydáno: (2003)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Vydáno: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
Autor: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Vydáno: (2016)

Spectral Characteristics of Photoluminescence Synthesized in the Field of Radiation YAGG Phosphors with Different Al/Ga Ratio; Вестник Карагандинского университета. Серия Физика; № 4 (116)
Vydáno: (2024)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2015)

Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур: [монография]
Autor: Корольков В. И. Владимир Ильич
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1986)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2018)

Разработка методов и средств обеспечения и прогнозирования надёжности элементной базы на основе наноразмерных A3B5 резонансно-туннельных гетероструктур для радиоэлектронных систем навигации и управления ракетно-космической техникой; "Орбита молодёжи" и перспективы развития российской космонавтики
Autor: Макеев М. О.
Vydáno: (2017)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Vydáno: (2003)

Механизмы формирования квантовых точек GaN методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
Autor: Майдэбура Я. Е. Ян Евгеньевич
Vydáno: (Новосибирск, 2025)