Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)

Bibliografiset tiedot
Parent link:Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo).— 2014.— [P. 874-875]
Päätekijä: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Yhteisötekijät: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Muut tekijät: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Yhteenveto:Title screen
It is established, that radiating power is reduced in three stages under irradiation by fast neutrons. There are areas of high, average and low electron injection in the active area of the light-emitting diodes. The final stage of the reducing process of light output power is a low electron injection.
Установлено, что мощность излучения при облучении гамма-квантами деградирует в три стадии: стадия сильной, средней и низкой инжекции электронов в активную область светоизлучающего диода. Конечной стадией снижения мощности излучения при этом является режим низкой инжекции электронов.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Kieli:englanti
Julkaistu: 2014
Aiheet:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
гетероструктуры
AlGaInP
излучение
мощность
быстрые нейтроны
нейтронное облучение
neutron irradiation
electron injection
light emitting diodes
heterostructures
neutrons
Linkit:http://dx.doi.org/10.1109/CRMICO.2014.6959672
Aineistotyyppi: Elektroninen Kirjan osa
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640563

Samankaltaisia teoksia

Samankaltaisia teoksia