Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)

Dades bibliogràfiques
Parent link:Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo).— 2014.— [P. 874-875]
Autor principal: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Autor corporatiu: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Altres autors: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Sumari:Title screen
It is established, that radiating power is reduced in three stages under irradiation by fast neutrons. There are areas of high, average and low electron injection in the active area of the light-emitting diodes. The final stage of the reducing process of light output power is a low electron injection.
Установлено, что мощность излучения при облучении гамма-квантами деградирует в три стадии: стадия сильной, средней и низкой инжекции электронов в активную область светоизлучающего диода. Конечной стадией снижения мощности излучения при этом является режим низкой инжекции электронов.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:anglès
Publicat: 2014
Matèries:
Accés en línia:http://dx.doi.org/10.1109/CRMICO.2014.6959672
Format: Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640563