Междолинные деформационные потенциалы в кристалле GaN кубической и гексагональной модификации; Шестнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ - 16)

Междолинные деформационные потенциалы в кристалле GaN кубической и гексагональной модификации; Шестнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ - 16)

التفاصيل البيبلوغرافية
Parent link:	Шестнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ - 16).— 2010.— [C.219-220]
المؤلف الرئيسي:	Пермякова М. Ю. Мария Юрьевна
مؤلفون آخرون:	Лобода Ю. О. Юлия Олеговна, Обухов С. В. Сергей Владимирович
الملخص:	Заглавие с экрана
اللغة:	الروسية
منشور في:	2010
الموضوعات:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
الوصول للمادة أونلاين:	http://asf.ural.ru/VNKSF/Tezis/v16/VNKSF-16-03.pdf#page=41
التنسيق:	الكتروني فصل الكتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640265

مواد مشابهة

Особенности модификации топлива для ледоколов нового поколения; Двадцать четвертая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, ВНКСФ-24
حسب: Жданова В. В. Валентина Вячеславовна
منشور في: (2018)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
حسب: Narita, Tetsuo
منشور في: (2020)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
منشور في: (2022)

Динамические коэффициенты Пуассона кристалла NaClO3 в интервале 78 – 525 К; ВНКСФ-16. Шестнадцатая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, г. Волгоград, 22-29 апреля 2010 г.
حسب: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
منشور في: (2010)

Атлас пространственных групп кубической системы
منشور في: (Москва, Наука, 1980)

RKR-потенциалы изотопических модификаций молекулы СО; Оптика и спектроскопия; Т. 118, № 1
حسب: Величко Т. И. Татьяна Ивановна
منشور في: (2015)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
منشور في: (2019)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
منشور في: (2016)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
حسب: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
منشور في: (Новосибирск, 2025)

Потенциалы эллипсоида
حسب: Муратов Р. З. Родэс Зиннятович
منشور في: (Москва, Атомиздат, 1976)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
منشور في: (2017)

Ч. 2; Шестнадцатая Всесоюзная школа-семинар по вычислительным сетям
منشور في: (1991)

Ч. 3; Шестнадцатая Всесоюзная школа-семинар по вычислительным сетям
منشور في: (1991)

Ч. 1; Шестнадцатая Всесоюзная школа-семинар по вычислительным сетям
منشور في: (1991)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2013)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2008)

Температурная зависимость скорости взаимных переходов моноклинной и кубической модификации четырехбромистого углерода; Журнал физической химии; Т. 34, вып. 12
حسب: Сакович Г. В.
منشور في: (1960)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
حسب: Васенев А. С.
منشور في: (2012)

Биоэлектрические потенциалы учебное пособие
حسب: Шевченко Е. В.
منشور في: (Иркутск, ИГМУ, 2015)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
حسب: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
منشور في: (2012)

Эффективные параметры многокомпонентных диэлектриков с гексагональной структурой; Журнал технической физики; Т. 72, вып. 1
حسب: Емец Ю. П.
منشور في: (2002)

Обобщенные диффузионные потенциалы
حسب: Кирейтов В. Р.
منشور في: (Сургут, Изд-во СурГУ, 2005-)

Потенциалы нулевого заряда
حسب: Фрумкин А. Н. Александр Наумович
منشور في: (Москва, Наука, 1979)

Потенциалы нулевого заряда
حسب: Фрумкин А. Н. Александр Наумович
منشور في: (Москва, Наука, 1982)

Исследование люминесцентных свойств азокрасителей; Двадцать четвертая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных, ВНКСФ-24
حسب: Николаева А. А. Алёна Андреевна
منشور في: (2018)

Модель кристаллизации наплавленного покрытия; Двадцать первая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ - 21)
حسب: Анисимова М. А. Мария Александровна
منشور في: (2015)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
منشور في: (2013)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
حسب: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
منشور في: (2015)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
حسب: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
منشور في: (2012)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2003)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2007)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
حسب: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
منشور في: (2006)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
منشور في: (2017)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
حسب: Ерофеев Е. В.
منشور في: (2017)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
حسب: Олешко В. И. Владимир Иванович
منشور في: (2015)

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2015)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2009)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
حسب: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
منشور في: (2009)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
حسب: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
منشور في: (2008)

Диэлектрические свойства поликристаллического феррита; ВНКСФ-8 Восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, Екатеринбург, 2002
حسب: Малышев А. В. Андрей Владимирович
منشور في: (2002)