Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Sjakste Je, Vast N, Jani H, Obukhov S. V. Sergey Vladimirovich, & Tyuterev V. (2013). Ab initio study of the effects of pressure and strain on electron–phonon coupling in IV and III–V semiconductors. 2013. https://doi.org/10.1002/pssb.201200526
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Sjakste Je, Vast N, Jani H, Obukhov S. V. Sergey Vladimirovich, and Tyuterev V. Ab Initio Study of the Effects of Pressure and Strain on Electron–phonon Coupling in IV and III–V Semiconductors. 2013, 2013. https://doi.org/10.1002/pssb.201200526.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), et al. Ab Initio Study of the Effects of Pressure and Strain on Electron–phonon Coupling in IV and III–V Semiconductors. 2013, 2013. https://doi.org/10.1002/pssb.201200526.