On the radiationless decay of a direct exciton in an indirect gap semiconductor

Bibliografiset tiedot
Parent link:Вестник Томского государственного педагогического университета/ Томский государственный педагогический университет (ТГПУ).— , 1997-
№ 8.— 2011.— [С. 49-52]
Päätekijä: Tyuterev V. G.
Muut tekijät: Obukhov S. V. Sergey Vladimirovich
Yhteenveto:Заглавие с экрана
The theory of a radiationless dissociation of exciton in a semiconductor with the indirect forbidden gap is developed. It is shown that in GaAs, GaP and Ge under a pressure the main mechanism of exciton decay is the short-wave phonon-assisted scattering inside the conduction band.
Построена теория безизлучательной диссоциации экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зо- ной. Показано, что в GaAs, GaP, а также в Ge под давлением основным механизмом распада экситона является рассеяние электрона на коротковолновых фононах в зоне проводимости.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Kieli:venäjä
Julkaistu: 2011
Aiheet:
Linkit:http://elibrary.ru/item.asp?id=17073453&
http://vestnik.tspu.edu.ru/archive.html?year=2011&issue=8&article_id=3000
Aineistotyyppi: Elektroninen Kirjan osa
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640209

Samankaltaisia teoksia