On the radiationless decay of a direct exciton in an indirect gap semiconductor
| Parent link: | Вестник Томского государственного педагогического университета/ Томский государственный педагогический университет (ТГПУ).— , 1997- № 8.— 2011.— [С. 49-52] |
|---|---|
| Auteur principal: | |
| Autres auteurs: | |
| Résumé: | Заглавие с экрана The theory of a radiationless dissociation of exciton in a semiconductor with the indirect forbidden gap is developed. It is shown that in GaAs, GaP and Ge under a pressure the main mechanism of exciton decay is the short-wave phonon-assisted scattering inside the conduction band. Построена теория безизлучательной диссоциации экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зо- ной. Показано, что в GaAs, GaP, а также в Ge под давлением основным механизмом распада экситона является рассеяние электрона на коротковолновых фононах в зоне проводимости. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Langue: | russe |
| Publié: |
2011
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://elibrary.ru/item.asp?id=17073453& http://vestnik.tspu.edu.ru/archive.html?year=2011&issue=8&article_id=3000 |
| Format: | Électronique Chapitre de livre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640209 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 640209 | ||
| 005 | 20250303140959.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\4755 | ||
| 090 | |a 640209 | ||
| 100 | |a 20150413d2011 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a On the radiationless decay of a direct exciton in an indirect gap semiconductor |d Безизлучательный распад прямого экситона в непрямозонном полупроводнике |f V. G. Tyuterev, S. V. Obukhov | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 52 (13 назв.)] | ||
| 330 | |a The theory of a radiationless dissociation of exciton in a semiconductor with the indirect forbidden gap is developed. It is shown that in GaAs, GaP and Ge under a pressure the main mechanism of exciton decay is the short-wave phonon-assisted scattering inside the conduction band. | ||
| 330 | |a Построена теория безизлучательной диссоциации экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зо- ной. Показано, что в GaAs, GaP, а также в Ge под давлением основным механизмом распада экситона является рассеяние электрона на коротковолновых фононах в зоне проводимости. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Вестник Томского государственного педагогического университета |f Томский государственный педагогический университет (ТГПУ) |d 1997- | ||
| 463 | |t № 8 |v [С. 49-52] |d 2011 | ||
| 510 | 1 | |a Безизлучательный распад прямого экситона в непрямозонном полупроводнике |z rus | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a полупроводники | |
| 610 | 1 | |a экситоны | |
| 610 | 1 | |a электрон-фононное взаимодействие | |
| 610 | 1 | |a метод функционала плотности | |
| 700 | 1 | |a Tyuterev |b V. G. | |
| 701 | 1 | |a Obukhov |b S. V. |c physicist |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences |f 1984- |g Sergey Vladimirovich |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34195 |9 17729 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20150413 |g RCR | |
| 856 | 4 | 0 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=17073453& |
| 856 | 4 | 0 | |u http://vestnik.tspu.edu.ru/archive.html?year=2011&issue=8&article_id=3000 |
| 942 | |c CF | ||