On the radiationless decay of a direct exciton in an indirect gap semiconductor
| Parent link: | Вестник Томского государственного педагогического университета/ Томский государственный педагогический университет (ТГПУ).— , 1997- № 8.— 2011.— [С. 49-52] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Other Authors: | |
| Summary: | Заглавие с экрана The theory of a radiationless dissociation of exciton in a semiconductor with the indirect forbidden gap is developed. It is shown that in GaAs, GaP and Ge under a pressure the main mechanism of exciton decay is the short-wave phonon-assisted scattering inside the conduction band. Построена теория безизлучательной диссоциации экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зо- ной. Показано, что в GaAs, GaP, а также в Ge под давлением основным механизмом распада экситона является рассеяние электрона на коротковолновых фононах в зоне проводимости. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Published: |
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=17073453& http://vestnik.tspu.edu.ru/archive.html?year=2011&issue=8&article_id=3000 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640209 |
| Summary: | Заглавие с экрана The theory of a radiationless dissociation of exciton in a semiconductor with the indirect forbidden gap is developed. It is shown that in GaAs, GaP and Ge under a pressure the main mechanism of exciton decay is the short-wave phonon-assisted scattering inside the conduction band. Построена теория безизлучательной диссоциации экситона в полупроводнике с непрямой запрещенной зо- ной. Показано, что в GaAs, GaP, а также в Ge под давлением основным механизмом распада экситона является рассеяние электрона на коротковолновых фононах в зоне проводимости. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|