The research of characteristics of multichannel GaAs detectors
| Parent link: | 2011 International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON), Russia, Krasnoyarsk, September 15−16, 2011.— 2011.— [P. 247 - 248] |
|---|---|
| Övriga upphovsmän: | Nam I. F. Irina Feliksovna, Rjabkov S. A., Tolbanov O. P., Tyazhev A. V. |
| Sammanfattning: | Title screen In this paper the results of multichannel GaAs detectors testing in integral mode are presented. It is shown that for x-ray quanta at the energy range 40-75 keV and exposure dose more than 1,5 mR the noise characteristics of the detectors are mostly depends on photon noise. It is experimentally proved that negative potential on irradiated contact and an inclination of detectors at a small angle to a direction of falling of radiation allow to increase sensitivity of detectors considerably. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Språk: | engelska |
| Publicerad: |
2011
|
| Ämnen: | |
| Länkar: | http://dx.doi.org/10.1109/SIBCON.2011.6072645 |
| Materialtyp: | Elektronisk Bokavsnitt |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639939 |
Liknande verk
Registration of Short Impulses of X-Ray Radiation Using the Detecting Block Based on GaAs Detectors; IEEE International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON-2007), Russia, Tomsk, April 20-21, 2007
Publicerad: (2007)
Publicerad: (2007)
Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
av: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Publicerad: (2015)
av: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Publicerad: (2015)
Decrease of imperfection of GaAs epitaxial structures improvement of electrophysical and spectrometrical characteristics of silicon detectors under positron irradiation; Radiation effects express; Vol. 1, iss. 6
Publicerad: (1988)
Publicerad: (1988)
Research of the creation opportunity of matrix X-ray gallium arsenide detector; International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON-2009), Russia, Tomsk, March 27−28, 2009
Publicerad: (2009)
Publicerad: (2009)
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicerad: (2009)
Publicerad: (2009)
Multichannel Marketing Strategy – Design – Digital Technology /
av: Wirtz, Bernd W.
Publicerad: (2024)
av: Wirtz, Bernd W.
Publicerad: (2024)
Химическое формирование субмикронных элементов GaAs; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Publicerad: (2004)
Publicerad: (2004)
Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
av: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Publicerad: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
av: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Publicerad: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
Оптоэлектронные фотопреобразователи излучений на основе гетеропереходов AlxGa1-x As-GaAs
av: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Publicerad: (Кишинев, Штиинца, 1987)
av: Трофим В. Г. Виорел Георгиевич
Publicerad: (Кишинев, Штиинца, 1987)
Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
av: Пешев В. В.
Publicerad: (2004)
av: Пешев В. В.
Publicerad: (2004)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
av: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicerad: (2010)
av: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicerad: (2010)
Research of Integral Characteristics of Process of Heattransfer in the Sensitive Element of Resistive Temperature Detector; MATEC Web of Conferences; Vol. 37 : Smart Grids 2015
av: Atroshenko Yu. K. Yuliana Konstantinovna
Publicerad: (2015)
av: Atroshenko Yu. K. Yuliana Konstantinovna
Publicerad: (2015)
Фазовые превращения на границе раздела GaAs -полимерный гель; Перспективы развития фундаментальных наук
av: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Publicerad: (2012)
av: Упеникова А. О. Анна Олеговна
Publicerad: (2012)
Development of multichannel photometric sensor; Modern Technique and Technologies. MTT 2002
av: Litkevich A. V.
Publicerad: (2002)
av: Litkevich A. V.
Publicerad: (2002)
Defects in GaAs produced with fast neutrons and protons; Труды XVII Международного совещания "Радиационная физика твердоготела" (Севастополь, 9-14 июля 2007 года)
av: Peshev V. V.
Publicerad: (2007)
av: Peshev V. V.
Publicerad: (2007)
The concepts of in-phase multichannel Ka-band HPM oscillators; IEEE International Conference on Plasma Science (ICOPS)
Publicerad: (2011)
Publicerad: (2011)
The improvement the signal timing characteristics of the MCP detector; Перспективы развития фундаментальных наук
av: Nazarenko S. Yu.
Publicerad: (2013)
av: Nazarenko S. Yu.
Publicerad: (2013)
Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
av: Арефьев К. П. Константин Петрович
Publicerad: (1983)
av: Арефьев К. П. Константин Петрович
Publicerad: (1983)
Проектирование СВЧ-усилителей на GaAs полевых транзисторах учебно-методическое пособие для студентов факультета нано- и биомедицинских технологий
av: Тяжлов В. С.
Publicerad: (Саратов, СГУ, 2019)
av: Тяжлов В. С.
Publicerad: (Саратов, СГУ, 2019)
Optical properties and urbach rule of GaAs films deposited on polycor by pulsed ion ablation; 10th International Conference on Modification of materials with Particle Beams and Plasma Flows, Tomsk, September 19-24, 2010
Publicerad: (2010)
Publicerad: (2010)
Исследование характеристик диода шоттки на основе GaAs с квантовыми ямами практикум
av: Тихов С. В.
Publicerad: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
av: Тихов С. В.
Publicerad: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
Positron annihilation in Si and GaAs crystals with an applied magnetic field; Physics Letters A; Vol. 59, iss. 3
Publicerad: (1976)
Publicerad: (1976)
Диод Шоттки на основе GaAs: технология получения и диагностика электронное учебно-методическое пособие
av: Дорохин М. В.
Publicerad: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)
av: Дорохин М. В.
Publicerad: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2013)
Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Publicerad: (2004)
Publicerad: (2004)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
av: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicerad: (2012)
av: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicerad: (2012)
Stability of the GaAs based Hall sensors irradiated by gamma quanta; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
av: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicerad: (2015)
av: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicerad: (2015)
Монолитная интегральная схема двухпозиционного СВЧ коммутатора на GaAs; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 309, № 8
Publicerad: (2006)
Publicerad: (2006)
Влияние двойного легирования на совершенство эпитаксиальных пленок полупроводниковых кристаллов GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 15, вып. 10
Publicerad: (1981)
Publicerad: (1981)
Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Publicerad: (1998)
Publicerad: (1998)
Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии; Журнал технической физики; Т. 72, вып. 1
av: Демарина Н. В.
Publicerad: (2002)
av: Демарина Н. В.
Publicerad: (2002)
Thermal distortions of multichannel laser radiation; Proceedings of SPIE; Vol. 10466 : 23rd International Symposium on Atmospheric and Ocean Optics: Atmospheric Physics
Publicerad: (2017)
Publicerad: (2017)
Оптическое поглощение и аннигиляция позитронов в GaAs , облученном электронами; Физика и техника полупроводников; Т. 13, вып. 6
Publicerad: (1979)
Publicerad: (1979)
Photoelectrical properties of GaAs films deposited on polycor by pulsed ions ablation; Известия вузов. Физика; Т. 52, № 8/2 (приложение)
Publicerad: (2009)
Publicerad: (2009)
Исследование процесса аннигиляции позитронов в нарушенных поверхностных слоях GaAs; Физика и техника полупроводников; Т. 11, вып. 4
Publicerad: (1977)
Publicerad: (1977)
Формирование ионно-легированных структур GaAs при низких температурах радиационного отжига; Электронная промышленность; Т. № 1-2
Publicerad: (1998)
Publicerad: (1998)
Выращивание полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs методом ГФЭ МОС описание лабораторной работы
av: Байдусь Н. В.
Publicerad: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)
av: Байдусь Н. В.
Publicerad: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2001)
Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Publicerad: (2007)
Publicerad: (2007)
International Siberian Conference on Control and Communications. Sibcon-2009: proceedings Russia, Tomsk, March 27-28, 2009
Publicerad: (Tomsk, IEEE, 2009)
Publicerad: (Tomsk, IEEE, 2009)
Моделирование перераспределения точечных и линейных дефектов в GaAs при локальном воздействии ионами Статья
av: Крылов П.Н.
Publicerad: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)
av: Крылов П.Н.
Publicerad: (Ижевск, ФГБОУ ВПО "Удмуртский Государственный университет", 2005)
Solid State Nuclear Track Detectors: proceedings of the International Conference Bristol, 7-12 September 1981
Publicerad: (Oxford, Pergamon Press, 1982)
Publicerad: (Oxford, Pergamon Press, 1982)
Liknande verk
-
Registration of Short Impulses of X-Ray Radiation Using the Detecting Block Based on GaAs Detectors; IEEE International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON-2007), Russia, Tomsk, April 20-21, 2007
Publicerad: (2007) -
Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
av: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Publicerad: (2015) -
Decrease of imperfection of GaAs epitaxial structures improvement of electrophysical and spectrometrical characteristics of silicon detectors under positron irradiation; Radiation effects express; Vol. 1, iss. 6
Publicerad: (1988) -
Research of the creation opportunity of matrix X-ray gallium arsenide detector; International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON-2009), Russia, Tomsk, March 27−28, 2009
Publicerad: (2009) -
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicerad: (2009)