Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 57, № 2-2.— 2014.— [С. 63-66] |
|---|---|
| Autor principal: | Орлова К. Н. Ксения Николаевна |
| Autor corporatiu: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ) |
| Altres autors: | Градобоев А. В. Александр Васильевич |
| Sumari: | Заглавие с экрана Представлены исследования стойкости гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) c множественными квантовыми ямами, широко применяемыми как на объектах атомной энергетики, так и в условиях космического пространства, к воздействию гамма-излучения 60Co. Изменение мощности излучения в результате облучения происходит в две стадии. На первой стадии происходит радиационно-стимулированная перестройка имеющейся дефектной структуры. Вторая стадия характеризуется созданием радиационных дефектов. На основе установленных соотношений возможно прогнозирование радиационной стойкости гетероструктур при облучении гамма-квантами на начальной стадии технологического производства. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2014
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21609695 |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639647 |
Ítems similars
Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2016)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2016)
Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Publicat: (2013)
Publicat: (2013)
Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)
Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)
Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)
Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2013)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2013)
Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2019)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2019)
Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)
Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
per: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicat: (2012)
per: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicat: (2012)
Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2014)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2014)
Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures; Materials Science Forum; Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2019)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2019)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)
Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (Томск, 2013)
Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
per: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicat: (2014)
per: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Publicat: (2014)
Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)
Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами; Проблемы фундаментальных и прикладных естественных и технических наук в современном информационном обществе. Общая и прикладная физика
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2011)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2011)
Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP; Актуальные проблемы биохимии и бионанотехнологии; Т. 2
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
per: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Publicat: (Томск, 2012)
per: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Publicat: (Томск, 2012)
Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2016)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2016)
Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2015)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
per: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicat: (2012)
per: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicat: (2012)
Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2016)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2016)
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
per: Цзысюань Ли
Publicat: (2023)
per: Цзысюань Ли
Publicat: (2023)
LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2018)
per: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Publicat: (2018)
Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
per: Бактыбаев А. А.
Publicat: (2016)
per: Бактыбаев А. А.
Publicat: (2016)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Publicat: (2016)
Publicat: (2016)
Зависимость ширины основной минизоны сверхрешетки с прямоугольными квантовыми ямами от конструктивных параметров; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 10
per: Борисенко С. И.
Publicat: (2003)
per: Борисенко С. И.
Publicat: (2003)
Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения; Информационные технологии (IT) в контроле, управлении качеством и безопасности
Publicat: (2019)
Publicat: (2019)
Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
per: Грушко Н. С.
Publicat: (2004)
per: Грушко Н. С.
Publicat: (2004)
Spectral Characteristics of Photoluminescence Synthesized in the Field of Radiation YAGG Phosphors with Different Al/Ga Ratio; Вестник Карагандинского университета. Серия Физика; № 4 (116)
Publicat: (2024)
Publicat: (2024)
Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5
Publicat: (2004)
Publicat: (2004)
Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 1
per: Серов А. Ю.
Publicat: (2004)
per: Серов А. Ю.
Publicat: (2004)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Publicat: (2013)
Publicat: (2013)
Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
per: Васько Ф. Т.
Publicat: (2003)
per: Васько Ф. Т.
Publicat: (2003)
Ítems similars
-
Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2016) -
Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012) -
Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012) -
Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Publicat: (2013) -
Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)