Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 56, № 11-3.— 2013.— [С. 116-119] |
|---|---|
| 共著者: | , |
| その他の著者: | , , , |
| 要約: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами к облучению гамма-квантами 60Со. Исследования были выполнены на светодиодах (λ = 630 нм). Облучение проводили в пассивном режиме питания, т.е. без наложения электрического поля, а уровень воздействия характеризовали поглощенной дозой. Установлено, что снижение мощности излучения при облучении гамма-квантами происходит в две стадии. На первой стадии снижение мощности излучения является следствием радиационно-стимулированной перестройки исходных структурных дефектов, а на второй стадии - вследствие введения радиационных дефектов. На границе между первой и второй стадиями наблюдаются релаксационные процессы - частичное восстановление мощности излучения на фоне ее общего снижения. Выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается ярко выраженный эффект малых доз - восстановление мощности излучения вследствие радиационно-стимулированной релаксации механических напряжений без образования дополнительных структурных дефектов. Данные процесс предшествует первой стадии снижения мощности излучения при облучении гамма-квантами. Кроме того, выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается два дополнительных релаксационных процесса на первой стадии. Установлены соотношения, позволяющие описать изменение мощности излучения на выявленных стадиях. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| 言語: | ロシア語 |
| 出版事項: |
2013
|
| 主題: | |
| オンライン･アクセス: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21218005 |
| フォーマット: | 電子媒体 図書の章 |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639643 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 639643 | ||
| 005 | 20250218095346.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\4131 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\3425 | ||
| 090 | |a 639643 | ||
| 100 | |a 20150318d2013 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры |f А. В. Градобоев [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 119 (5 назв.)] | ||
| 330 | |a Представлены результаты исследования стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами к облучению гамма-квантами 60Со. Исследования были выполнены на светодиодах (λ = 630 нм). Облучение проводили в пассивном режиме питания, т.е. без наложения электрического поля, а уровень воздействия характеризовали поглощенной дозой. Установлено, что снижение мощности излучения при облучении гамма-квантами происходит в две стадии. На первой стадии снижение мощности излучения является следствием радиационно-стимулированной перестройки исходных структурных дефектов, а на второй стадии - вследствие введения радиационных дефектов. На границе между первой и второй стадиями наблюдаются релаксационные процессы - частичное восстановление мощности излучения на фоне ее общего снижения. Выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается ярко выраженный эффект малых доз - восстановление мощности излучения вследствие радиационно-стимулированной релаксации механических напряжений без образования дополнительных структурных дефектов. Данные процесс предшествует первой стадии снижения мощности излучения при облучении гамма-квантами. Кроме того, выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается два дополнительных релаксационных процесса на первой стадии. Установлены соотношения, позволяющие описать изменение мощности излучения на выявленных стадиях. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Известия вузов. Физика |o научный журнал |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) |d 1957- | ||
| 463 | |t Т. 56, № 11-3 |v [С. 116-119] |d 2013 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a AlGaInP | |
| 610 | 1 | |a светодиоды | |
| 610 | 1 | |a квантовые ямы | |
| 610 | 1 | |a гамма-кванты | |
| 701 | 1 | |a Градобоев |b А. В. |c физик |c профессор Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1952- |g Александр Васильевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\24213 |9 10707 | |
| 701 | 1 | |a Орлова |b К. Н. |c физик |c доцент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1985- |g Ксения Николаевна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28212 |9 13166 | |
| 701 | 1 | |a Арефьев |b К. П. |c физик |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |c член-корреспондент РАЕН |f 1947- |g Константин Петрович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\19765 |9 7703 | |
| 701 | 1 | |a Асанов |b И. А. |g Иван Александрович | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) |b Кафедра естественного научного образования (ЕНО) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18894 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) |b Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18930 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20150421 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=21218005 | |
| 942 | |c CF | ||