Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 56, № 11-3.— 2013.— [С. 116-119] |
|---|---|
| Corporate Authors: | , |
| Outros Autores: | , , , |
| Resumo: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами к облучению гамма-квантами 60Со. Исследования были выполнены на светодиодах (λ = 630 нм). Облучение проводили в пассивном режиме питания, т.е. без наложения электрического поля, а уровень воздействия характеризовали поглощенной дозой. Установлено, что снижение мощности излучения при облучении гамма-квантами происходит в две стадии. На первой стадии снижение мощности излучения является следствием радиационно-стимулированной перестройки исходных структурных дефектов, а на второй стадии - вследствие введения радиационных дефектов. На границе между первой и второй стадиями наблюдаются релаксационные процессы - частичное восстановление мощности излучения на фоне ее общего снижения. Выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается ярко выраженный эффект малых доз - восстановление мощности излучения вследствие радиационно-стимулированной релаксации механических напряжений без образования дополнительных структурных дефектов. Данные процесс предшествует первой стадии снижения мощности излучения при облучении гамма-квантами. Кроме того, выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается два дополнительных релаксационных процесса на первой стадии. Установлены соотношения, позволяющие описать изменение мощности излучения на выявленных стадиях. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Publicado em: |
2013
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21218005 |
| Formato: | Recurso Electrónico Capítulo de Livro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639643 |
| Resumo: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами к облучению гамма-квантами 60Со. Исследования были выполнены на светодиодах (λ = 630 нм). Облучение проводили в пассивном режиме питания, т.е. без наложения электрического поля, а уровень воздействия характеризовали поглощенной дозой. Установлено, что снижение мощности излучения при облучении гамма-квантами происходит в две стадии. На первой стадии снижение мощности излучения является следствием радиационно-стимулированной перестройки исходных структурных дефектов, а на второй стадии - вследствие введения радиационных дефектов. На границе между первой и второй стадиями наблюдаются релаксационные процессы - частичное восстановление мощности излучения на фоне ее общего снижения. Выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается ярко выраженный эффект малых доз - восстановление мощности излучения вследствие радиационно-стимулированной релаксации механических напряжений без образования дополнительных структурных дефектов. Данные процесс предшествует первой стадии снижения мощности излучения при облучении гамма-квантами. Кроме того, выявлены гетероструктуры, для которых наблюдается два дополнительных релаксационных процесса на первой стадии. Установлены соотношения, позволяющие описать изменение мощности излучения на выявленных стадиях. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|