Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ), Абдрашитов С. В. Сергей Владимирович, Богданов О. В. Олег Викторович, Пивоваров Ю. Л. Юрий Леонидович, & Тухфатуллин Т. А. Тимур Ахатович. (2012). Ориентационная зависимость потерь энергии 255 МэВ позитронов и электронов на излучение при каналировании в тонком кристалле Si; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 11-2. 2012.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ), Абдрашитов С. В. Сергей Владимирович, Богданов О. В. Олег Викторович, Пивоваров Ю. Л. Юрий Леонидович, та Тухфатуллин Т. А. Тимур Ахатович. Ориентационная зависимость потерь энергии 255 МэВ позитронов и электронов на излучение при каналировании в тонком кристалле Si; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 11-2. 2012, 2012.
Стиль цитування MLA (9-ме видання)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), et al. Ориентационная зависимость потерь энергии 255 МэВ позитронов и электронов на излучение при каналировании в тонком кристалле Si; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 11-2. 2012, 2012.