Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
| Parent link: | Журнал радиоэлектроники: электронный журнал/ Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ).— , 1998- № 10.— 2013.— [8 с.] |
|---|---|
| Tác giả chính: | |
| Nhiều tác giả của công ty: | , |
| Tác giả khác: | , |
| Tóm tắt: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения при облучении гамма-квантами 60Со дозой до 5∙10 6 Гр и быстрыми нейтронами флюенсом 2∙10 14н/см 2 в пассивном режиме питания. Показано, что в исследуемом диапазоне доз и флюенсов видимые изменения в вольт-амперных характеристиках (ВАХ) отсутствуют. При этом на ВАХ отчетливо обнаруживаются два этапа, которые согласно оценкам соответствуют областям средней и сильной инжекции. Подробное рассмотрение ВАХ светодиодов в полулогарифмическом масштабе позволяет ассоциировать данные области с двумя механизмами токообразования – инжекцией носителей заряда и инжекцией носителей заряда наряду с модуляцией сопротивления активной области гетероструктур AlGaInP. Research results of the current-voltage characteristics of red (630 nm) and yellow (590 nm) AlGaInP light-emitting diodes are presented under irradiation by gamma rays to 60Co dose of 5∙10 6 Gy and fast neutron fluence of 2∙10 14 n/cm 2. An operating mode is passive. It is shown that changes in the current-voltage characteristics are absent in the all dose and fluences range. The current-voltage characteristics found two distinct phases, which are estimated to correspond to areas of average and strong injection. Detailed investigation of the current-voltage characteristics of LEDs allows to associate these areas with two mechanisms of current generation - the injection of charge carriers and the injection of charge carriers along with the modulation of the AlGaInP active field resistance in the semi-logarithmic scale. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Nga |
| Được phát hành: |
2013
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://elibrary.ru/item.asp?id=20955743 http://jre.cplire.ru/koi/oct13/9/text.pdf |
| Định dạng: | Điện tử Chương của sách |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639028 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 639028 | ||
| 005 | 20250212114240.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\3425 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\3411 | ||
| 090 | |a 639028 | ||
| 100 | |a 20150218d2013 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами |f А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. Асанов | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: 5 назв.] | ||
| 330 | |a Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения при облучении гамма-квантами 60Со дозой до 5∙10 6 Гр и быстрыми нейтронами флюенсом 2∙10 14н/см 2 в пассивном режиме питания. Показано, что в исследуемом диапазоне доз и флюенсов видимые изменения в вольт-амперных характеристиках (ВАХ) отсутствуют. При этом на ВАХ отчетливо обнаруживаются два этапа, которые согласно оценкам соответствуют областям средней и сильной инжекции. Подробное рассмотрение ВАХ светодиодов в полулогарифмическом масштабе позволяет ассоциировать данные области с двумя механизмами токообразования – инжекцией носителей заряда и инжекцией носителей заряда наряду с модуляцией сопротивления активной области гетероструктур AlGaInP. | ||
| 330 | |a Research results of the current-voltage characteristics of red (630 nm) and yellow (590 nm) AlGaInP light-emitting diodes are presented under irradiation by gamma rays to 60Co dose of 5∙10 6 Gy and fast neutron fluence of 2∙10 14 n/cm 2. An operating mode is passive. It is shown that changes in the current-voltage characteristics are absent in the all dose and fluences range. The current-voltage characteristics found two distinct phases, which are estimated to correspond to areas of average and strong injection. Detailed investigation of the current-voltage characteristics of LEDs allows to associate these areas with two mechanisms of current generation - the injection of charge carriers and the injection of charge carriers along with the modulation of the AlGaInP active field resistance in the semi-logarithmic scale. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Журнал радиоэлектроники |o электронный журнал |f Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ) |d 1998- | ||
| 463 | |t № 10 |v [8 с.] |d 2013 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a AlGaInP | |
| 610 | 1 | |a радиационная стойкость | |
| 610 | 1 | |a светодиоды | |
| 610 | 1 | |a heterostructures AlGaInP | |
| 610 | 1 | |a radiation hardness | |
| 610 | 1 | |a light-emitting diodes | |
| 700 | 1 | |a Градобоев |b А. В. |c физик |c профессор Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1952- |g Александр Васильевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\24213 |9 10707 | |
| 701 | 1 | |a Орлова |b К. Н. |c физик |c доцент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1985- |g Ксения Николаевна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28212 |9 13166 | |
| 701 | 1 | |a Асанов |b И. А. |g Иван Александрович | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) |b Кафедра естественного научного образования (ЕНО) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18894 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) |b Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18930 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20150507 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=20955743 | |
| 856 | 4 | |u http://jre.cplire.ru/koi/oct13/9/text.pdf | |
| 942 | |c CF | ||