Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10

書誌詳細
Parent link:	Журнал радиоэлектроники: электронный журнал/ Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ).— , 1998- № 10.— 2013.— [8 с.]
第一著者:	Градобоев А. В. Александр Васильевич
共著者:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
その他の著者:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна, Асанов И. А. Иван Александрович
要約:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения при облучении гамма-квантами 60Со дозой до 5∙10 6 Гр и быстрыми нейтронами флюенсом 2∙10 14н/см 2 в пассивном режиме питания. Показано, что в исследуемом диапазоне доз и флюенсов видимые изменения в вольт-амперных характеристиках (ВАХ) отсутствуют. При этом на ВАХ отчетливо обнаруживаются два этапа, которые согласно оценкам соответствуют областям средней и сильной инжекции. Подробное рассмотрение ВАХ светодиодов в полулогарифмическом масштабе позволяет ассоциировать данные области с двумя механизмами токообразования – инжекцией носителей заряда и инжекцией носителей заряда наряду с модуляцией сопротивления активной области гетероструктур AlGaInP. Research results of the current-voltage characteristics of red (630 nm) and yellow (590 nm) AlGaInP light-emitting diodes are presented under irradiation by gamma rays to 60Co dose of 5∙10 6 Gy and fast neutron fluence of 2∙10 14 n/cm 2. An operating mode is passive. It is shown that changes in the current-voltage characteristics are absent in the all dose and fluences range. The current-voltage characteristics found two distinct phases, which are estimated to correspond to areas of average and strong injection. Detailed investigation of the current-voltage characteristics of LEDs allows to associate these areas with two mechanisms of current generation - the injection of charge carriers and the injection of charge carriers along with the modulation of the AlGaInP active field resistance in the semi-logarithmic scale. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
言語:	ロシア語
出版事項:	2013
主題:	электронный ресурс труды учёных ТПУ гетероструктуры AlGaInP радиационная стойкость светодиоды heterostructures AlGaInP radiation hardness light-emitting diodes
オンライン･アクセス:	http://elibrary.ru/item.asp?id=20955743 http://jre.cplire.ru/koi/oct13/9/text.pdf
フォーマット:	電子媒体図書の章
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639028

その他の書誌記述
要約:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения при облучении гамма-квантами 60Со дозой до 5∙10 6 Гр и быстрыми нейтронами флюенсом 2∙10 14н/см 2 в пассивном режиме питания. Показано, что в исследуемом диапазоне доз и флюенсов видимые изменения в вольт-амперных характеристиках (ВАХ) отсутствуют. При этом на ВАХ отчетливо обнаруживаются два этапа, которые согласно оценкам соответствуют областям средней и сильной инжекции. Подробное рассмотрение ВАХ светодиодов в полулогарифмическом масштабе позволяет ассоциировать данные области с двумя механизмами токообразования – инжекцией носителей заряда и инжекцией носителей заряда наряду с модуляцией сопротивления активной области гетероструктур AlGaInP. Research results of the current-voltage characteristics of red (630 nm) and yellow (590 nm) AlGaInP light-emitting diodes are presented under irradiation by gamma rays to 60Co dose of 5∙10 6 Gy and fast neutron fluence of 2∙10 14 n/cm 2. An operating mode is passive. It is shown that changes in the current-voltage characteristics are absent in the all dose and fluences range. The current-voltage characteristics found two distinct phases, which are estimated to correspond to areas of average and strong injection. Detailed investigation of the current-voltage characteristics of LEDs allows to associate these areas with two mechanisms of current generation - the injection of charge carriers and the injection of charge carriers along with the modulation of the AlGaInP active field resistance in the semi-logarithmic scale. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса

類似資料