Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ), Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Remnev G. E. Gennady Efimovich, & Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich. (2014). Influence of the High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Polycrystalline Silicon; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 6. 2014.
Chicago Style (17. basım) AtıfНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ), Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Remnev G. E. Gennady Efimovich, ve Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich. Influence of the High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Polycrystalline Silicon; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, Iss. 6. 2014, 2014.
MLA (9th ed.) AtıfНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), et al. Influence of the High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Polycrystalline Silicon; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, Iss. 6. 2014, 2014.