Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ), Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Remnev G. E. Gennady Efimovich, & Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich. (2014). Influence of the High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Polycrystalline Silicon. 2014.
Chicago Style (17th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ), Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Remnev G. E. Gennady Efimovich, and Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich. Influence of the High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Polycrystalline Silicon. 2014, 2014.
MLA (9th ed.) CitationНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), et al. Influence of the High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Polycrystalline Silicon. 2014, 2014.