Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на свойства поликристаллического кремния

Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на свойства поликристаллического кремния

Bibliographic Details
Parent link:Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.— , 1995-
№ 11.— 2014.— [С. 86-92]
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Other Authors: Кабышев А. В. Александр Васильевич, Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович, Павлов С. К. Сергей Константинович
Summary:Заглавие с экрана
Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов углерода. Установлено влияние отжига в вакууме (10-2 Па, 300-1200 К) на характеристики поверхностной темновой проводимости и фотопроводимости кремния. Определены оптимальные условия термической вакуумной обработки образцов, при которой достигаются свойства, наиболее устойчивые к термическим воздействиям и полевому возбуждению. Установлены вероятные причины изменения электрических и фотоэлектрических характеристик кремния.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Language:Russian
Published: 2014
Subjects:
труды учёных ТПУ
электронный ресурс
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=22403851
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637902
Description
Summary:Заглавие с экрана
Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов углерода. Установлено влияние отжига в вакууме (10-2 Па, 300-1200 К) на характеристики поверхностной темновой проводимости и фотопроводимости кремния. Определены оптимальные условия термической вакуумной обработки образцов, при которой достигаются свойства, наиболее устойчивые к термическим воздействиям и полевому возбуждению. Установлены вероятные причины изменения электрических и фотоэлектрических характеристик кремния.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса

Similar Items