Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия; Современные проблемы науки и образования; № 3

Особенности введения радиационных дефектов в области барьера Шоттки фосфида индия; Современные проблемы науки и образования; № 3

Bibliographische Detailangaben
Parent link:	Современные проблемы науки и образования.— , 2005- № 3.— 2006.— [2 с.]
1. Verfasser:	Пешев В. В. Владимир Викторович
Weitere Verfasser:	Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Zusammenfassung:	Заглавие с экрана Работа представлена на научную конференцию с международным участием «Актуальные проблемы науки и образования», ВАРАДЕРО (Куба), 20-30 марта 2006 г. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	2006
Schriftenreihe:	Технические науки
Schlagworte:	электронный ресурс труды учёных ТПУ радиационные дефекты барьеры Шоттки фосфиды
Online-Zugang:	http://www.science-education.ru/11-339 http://elibrary.ru/item.asp?id=9910890
Format:	Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637884

Ähnliche Einträge

Барьеры Шоттки, собственные окислы и МОП структуры на фосфиде индия
von: Коротченков Г. С. Геннадий Сергеевич
Veröffentlicht: (Кишинев, Штиинца, 1984)

Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки. Физика, технология, применение
von: Стриха В. И. Виталий Илларионович
Veröffentlicht: (Москва, Советское радио, 1974)

Инфракрасная камера на основе барьеров Шоттки для дневных наблюдений звёзд; Приборы и техника эксперимента; № 2
von: Гришин Е. А.
Veröffentlicht: (2003)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
von: Пешев В. В.
Veröffentlicht: (2002)

The regularities of radiation defect formation at the interface metal -n-InP; Control and Communications (SIBCON)
von: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Veröffentlicht: (2016)

Мощные кремниевые эпитаксиально-планарные диоды с барьером Шоттки; Радиомир; № 2
von: Киселёв В.
Veröffentlicht: (2002)

Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)
von: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Veröffentlicht: (2015)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
von: Пешев В. В. Владимир Викторович
Veröffentlicht: (Томск, 1999)

Автокатализ термического разложения азида свинца дефектами Шоттки при малых степенях разложения; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
von: Ханефт А. В. Александр Вилливич
Veröffentlicht: (2011)

Физика полупроводниковых приборов: пер. с англ.; в 2-х кн; Кн. 1
von: Шур М. С. Михаил Саулович
Veröffentlicht: (Москва, Мир, 1992)

Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP; Перспективные материалы; № 2
von: Пешев В. В. Владимир Викторович
Veröffentlicht: (2008)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
von: Пешев В. В. Владимир Викторович
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 1999)

Micro-Bunch Instabilities as a Source of Coherent THz Radiation; RREPS-15. Radiation from Relativistic Electrons in Periodic Structures
von: Finn A. Aiveen
Veröffentlicht: (2015)

Высота барьера и туннельный ток в диодах Шоттки со встроенными слоями квантовых точек; Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 75, вып. 1-2
Veröffentlicht: (2002)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
von: Пешев В. В.
Veröffentlicht: (2004)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
von: Новиков В. А. Владимир Александрович
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
von: Новиков В. А. Владимир Александрович
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 2007)

Методы контроля качества монокристаллов арсенида галлия и фосфида индия эпитаксиальных слоев.; Исследование распределения напряжений в монокристаллах и эпитаксиальных слоях: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 2-51/86
Veröffentlicht: (Томск, 1989)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
von: Пешев В. В. Владимир Викторович
Veröffentlicht: (2005)

Полупроводниковые фосфиды и арсениды кремния и германия
von: Гончаров Е. Г. Евгений Григорьевич
Veröffentlicht: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1989)

Фосфид индия в полупроводниковой электронике: сборник статей
Veröffentlicht: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Теория радиационных дефектов в полупроводниках
von: Тележкин В. А. Вениамин Александрович
Veröffentlicht: (Киев, Наукова думка, 1988)

Оптоэлектронные свойства соединений группы А В
von: Сырбу Н. Н. Николай Николаевич
Veröffentlicht: (Кишинев, Штиинца, 1983)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
von: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 2000)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
von: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Veröffentlicht: (Томск, 2000)

Контакты металл-полупроводник: пер. с англ.
von: Родерик Э. Х. Эмвил Х.
Veröffentlicht: (Москва, Радио и связь, 1982)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
von: Новиков В. А. Владимир Александрович
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 2007)

Применение контакта металл-полупроводник в электронике
von: Валиев К. А. Камиль Ахметович
Veröffentlicht: (Москва, Радио и связь, 1981)

Комплексы радиационных дефектов в облученном ионами оксиде алюминия; ФВЗЧК-2004
von: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2004)

Сборник задач по физике поверхности полупроводников: учебное пособие
von: Гуртов В. А. Валерий Алексеевич
Veröffentlicht: (Петрозаводск, Изд-во ПГУ, 1985)

Уравнения кинетики радиационных дефектов; VI Школа-конференция молодых атомщиков Сибири
von: Матвеев М. В. Максим Витальевич
Veröffentlicht: (2015)

Исследование концентрации радиационных дефектов, формируемых ионным пучком в металлах; Ядерная наука и технологии
Veröffentlicht: (2019)

Т. 1 : Общие вопросы теории. Туннельные и транзисторные усилители и детекторы СВЧ; Полупроводниковые входные устройства СВЧ
Veröffentlicht: (1975)

Уравнения кинетики радиационных дефектов в ГЦК-кристаллах; Физико-технические проблемы в науке, промышленности и медицине
von: Матвеев М. В. Максим Витальевич
Veröffentlicht: (2015)

Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
von: Коровкин М. В. Михаил Владимирович
Veröffentlicht: (Томск, 1998)

Автоионная микроскопия радиационных дефектов в металлах
von: Суворов А. Л. Александр Леонидович
Veröffentlicht: (Москва, Энергоиздат, 1982)

Моделирование на ЭВМ радиационных дефектов в кристаллах: [сборник]
Veröffentlicht: (Ленинград, Изд-во ФТИ, 1983)

Влияние положения барьера на пробивное напряжение твердых диэлектриков; Известия вузов. Энергетика; № 12
von: Леонтьев Ю. Н.
Veröffentlicht: (1961)

Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
von: Коровкин М. В. Михаил Владимирович
Veröffentlicht: (Томск, [Б. и.], 1998)

Метод радиационных дефектов: методические рекомендации
Veröffentlicht: (Москва, [Б. и.], 1982)