Радиационные дефекты в арсениде галлия, введенные нейтронами и протонами; Перспективные материалы; № 3

Podrobná bibliografie
Parent link:Перспективные материалы.— , 1995-
№ 3.— 2008.— [С. 45-50]
Hlavní autor: Пешев В. В. Владимир Викторович
Další autoři: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Shrnutí:Заглавие с экрана
Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) изучены радиационные дефекты в эпитаксиальных слоях n-GaAs, облученных протонами (65 Мэв) и быстрыми нейтронами. Используя различные условия для заполнения глубоких ловушек электронами и различные условия отжига облученных образцов, показано, что широкая U-полоса предположительно является суперпозицией двух пиков, сформированных известными в GaAs дефектами P2 и P3, находящимися в пределах скоплений дефектов. При этом и форма, и местоположение пиков P2 и P3 в спектрах DLTS изменены вследствие влияния электрических полей областей разупорядочения на скорость эмиссии электронов с глубоких уровней. Проведены расчеты спектров DLTS с учетом неоднородного распределения этих дефектов в образце и встроенных электрических полей, обусловленных этими неоднородностями.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jazyk:ruština
Vydáno: 2008
Témata:
On-line přístup:http://elibrary.ru/item.asp?id=11788996
Médium: Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637863

Podobné jednotky