Радиационные дефекты в арсениде галлия, введенные нейтронами и протонами; Перспективные материалы; № 3
| Parent link: | Перспективные материалы.— , 1995- № 3.— 2008.— [С. 45-50] |
|---|---|
| Hovedforfatter: | |
| Andre forfattere: | |
| Summary: | Заглавие с экрана Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) изучены радиационные дефекты в эпитаксиальных слоях n-GaAs, облученных протонами (65 Мэв) и быстрыми нейтронами. Используя различные условия для заполнения глубоких ловушек электронами и различные условия отжига облученных образцов, показано, что широкая U-полоса предположительно является суперпозицией двух пиков, сформированных известными в GaAs дефектами P2 и P3, находящимися в пределах скоплений дефектов. При этом и форма, и местоположение пиков P2 и P3 в спектрах DLTS изменены вследствие влияния электрических полей областей разупорядочения на скорость эмиссии электронов с глубоких уровней. Проведены расчеты спектров DLTS с учетом неоднородного распределения этих дефектов в образце и встроенных электрических полей, обусловленных этими неоднородностями. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Sprog: | russisk |
| Udgivet: |
2008
|
| Fag: | |
| Online adgang: | http://elibrary.ru/item.asp?id=11788996 |
| Format: | MixedMaterials Electronisk Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637863 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 637863 | ||
| 005 | 20250123162249.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\2043 | ||
| 090 | |a 637863 | ||
| 100 | |a 20141030d2008 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Радиационные дефекты в арсениде галлия, введенные нейтронами и протонами |f В. В. Пешев, Э. Г. Соболева | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 50 (13 назв.)] | ||
| 330 | |a Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) изучены радиационные дефекты в эпитаксиальных слоях n-GaAs, облученных протонами (65 Мэв) и быстрыми нейтронами. Используя различные условия для заполнения глубоких ловушек электронами и различные условия отжига облученных образцов, показано, что широкая U-полоса предположительно является суперпозицией двух пиков, сформированных известными в GaAs дефектами P2 и P3, находящимися в пределах скоплений дефектов. При этом и форма, и местоположение пиков P2 и P3 в спектрах DLTS изменены вследствие влияния электрических полей областей разупорядочения на скорость эмиссии электронов с глубоких уровней. Проведены расчеты спектров DLTS с учетом неоднородного распределения этих дефектов в образце и встроенных электрических полей, обусловленных этими неоднородностями. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 337 | |a Adobe Reader | ||
| 461 | |t Перспективные материалы |d 1995- | ||
| 463 | |t № 3 |v [С. 45-50] |d 2008 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a радиационные дефекты | |
| 610 | 1 | |a спектры | |
| 610 | 1 | |a электрическое поле | |
| 700 | 1 | |a Пешев |b В. В. |c специалист в области электротехники |c ведущий научный специалист Томского политехнического университета |f 1948- |g Владимир Викторович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31082 | |
| 701 | 1 | |a Соболева |b Э. Г. |c физик |c доцент Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1976- |g Эльвира Гомеровна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27511 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20141111 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=11788996 | |
| 942 | |c CF | ||