Радиационные дефекты в арсениде галлия, введенные нейтронами и протонами
| Parent link: | Перспективные материалы.— , 1995- № 3.— 2008.— [С. 45-50] |
|---|---|
| Glavni avtor: | |
| Drugi avtorji: | |
| Izvleček: | Заглавие с экрана Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) изучены радиационные дефекты в эпитаксиальных слоях n-GaAs, облученных протонами (65 Мэв) и быстрыми нейтронами. Используя различные условия для заполнения глубоких ловушек электронами и различные условия отжига облученных образцов, показано, что широкая U-полоса предположительно является суперпозицией двух пиков, сформированных известными в GaAs дефектами P2 и P3, находящимися в пределах скоплений дефектов. При этом и форма, и местоположение пиков P2 и P3 в спектрах DLTS изменены вследствие влияния электрических полей областей разупорядочения на скорость эмиссии электронов с глубоких уровней. Проведены расчеты спектров DLTS с учетом неоднородного распределения этих дефектов в образце и встроенных электрических полей, обусловленных этими неоднородностями. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Izdano: |
2008
|
| Teme: | |
| Online dostop: | http://elibrary.ru/item.asp?id=11788996 |
| Format: | Elektronski Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637863 |
| Izvleček: | Заглавие с экрана Методом релаксационной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) изучены радиационные дефекты в эпитаксиальных слоях n-GaAs, облученных протонами (65 Мэв) и быстрыми нейтронами. Используя различные условия для заполнения глубоких ловушек электронами и различные условия отжига облученных образцов, показано, что широкая U-полоса предположительно является суперпозицией двух пиков, сформированных известными в GaAs дефектами P2 и P3, находящимися в пределах скоплений дефектов. При этом и форма, и местоположение пиков P2 и P3 в спектрах DLTS изменены вследствие влияния электрических полей областей разупорядочения на скорость эмиссии электронов с глубоких уровней. Проведены расчеты спектров DLTS с учетом неоднородного распределения этих дефектов в образце и встроенных электрических полей, обусловленных этими неоднородностями. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|