Transport Charge of Gallium Arsenide Films Synthesized on Polycrystalline Silicon by Ionics Ablation

Transport Charge of Gallium Arsenide Films Synthesized on Polycrystalline Silicon by Ionics Ablation

Detalhes bibliográficos
Parent link:EFRE-2014: 12th International Conference on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows: abstracts of International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects,Tomsk, September 21–26, 2014/ Institute of High Current Electronics ; National Research Tomsk Polytechnic University (TPU) ; Tomsk Scientific Center SB RAS. [P. 329].— , 2014
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Outros Autores: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Remnev G. E. Gennady Efimovich, Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich
Resumo:Title screen
Idioma:inglês
Publicado em: 2014
Assuntos:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
Acesso em linha:http://www.hcei.tsc.ru/congress2014/images/Abstracts.pdf#page=329
Formato: Recurso Electrónico Capítulo de Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637817
Descrição
Resumo:Title screen

Registos relacionados