Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ), Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Remnev G. E. Gennady Efimovich, & Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich. (2014). Transport Charge of Gallium Arsenide Films Synthesized on Polycrystalline Silicon by Ionics Ablation. 2014.
Chicago Style (17. basım) AtıfНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ), Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Remnev G. E. Gennady Efimovich, ve Pavlov S. K. Sergey Konstantinovich. Transport Charge of Gallium Arsenide Films Synthesized on Polycrystalline Silicon by Ionics Ablation. 2014, 2014.
MLA (9th ed.) AtıfНациональный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, et al. Transport Charge of Gallium Arsenide Films Synthesized on Polycrystalline Silicon by Ionics Ablation. 2014, 2014.