Modeling of initial stage of ion implantation process. Isothermal approximation

Modeling of initial stage of ion implantation process. Isothermal approximation

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 55, № 5-2.— 2012.— [С. 108-111]
Main Author: Ilina E. S. Elena Sergeevna
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра физики высоких технологий в машиностроении (ФВТМ)
Other Authors: Knyazeva A. G. Anna Georgievna, Demidov V. N. Valery Nikolaevich
Summary:Title screen
The initial stage of the process of ion implantation in the isothermal approximation is investigated. As a result, the examples of concentration distribution were obtained at different moments, taking into account the effect of mechanical disturbance and coupling effect.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Language:English
Published: 2012
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=20133321
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637623

Similar Items

Similar Items