Модификация оптических и диэлектрических свойств высокодисперсных поликристаллов при ионно-термическом воздействии, отчет о НИР/НИОКР Номер гранта (контракта) РФФИ: 97-02-16850
| Outros Autores: | , , , , , , |
|---|---|
| Resumo: | Заглавие с титульного листа Установлено влияние радиационных и биографических дефектов, комплексов на их основе на электронное строение и свойства диэлектриков после ионно-термической модификации. Искажение электронной структуры приводит к формированию в запрещенной зоне (ЗЗ) донорной подзоны. Строение материала, ширина ЗЗ и режим облучения определяют эффективность накопления и заселенность локализованных состояний подзоны, характер электронных переходов. К общим для диэлектриков закономерностям накопления дефектов относятся: доминирование n- типа проводимости и фоточувствительности, смещение уровня Ферми к зоне проводимости, расширение областей наведенных локализованных состояний к разрешенным зонам. The influence of the induced and the biographical defects, complexes on their base on the electronic structure after the ion-heat modification was established. Distortion of the electronic structure lead to forming the donors subband in the band gap (BG). Structure of the material and the width of the BG and irradiations regime determine the efficiency of the accumulation of the subband localized states and their population and the character of the electronic transition. The defects accumulation in different dielectrics have a common conformity to natural laws, such as a domination of the n- type conductivity and photosensibility, a displacement a Fermi level to conduction band and a expansion of the regions of the induced localized states to the allowed bands. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | russo |
| Publicado em: |
Томск, 1999
|
| Assuntos: | |
| Acesso em linha: | http://elibrary.ru/item.asp?id=751195 |
| Formato: | Recurso Electrónico Livro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637572 |
MARC
| LEADER | 00000nlm0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 637572 | ||
| 005 | 20240704063103.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\1724 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\1712 | ||
| 090 | |a 637572 | ||
| 100 | |a 20140929j1999 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a a p 000zy | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Модификация оптических и диэлектрических свойств высокодисперсных поликристаллов при ионно-термическом воздействии |e отчет о НИР/НИОКР |e Номер гранта (контракта) РФФИ: 97-02-16850 |f В. В. Лопатин [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 210 | |a Томск |d 1999 | ||
| 300 | |a Заглавие с титульного листа | ||
| 330 | |a Установлено влияние радиационных и биографических дефектов, комплексов на их основе на электронное строение и свойства диэлектриков после ионно-термической модификации. Искажение электронной структуры приводит к формированию в запрещенной зоне (ЗЗ) донорной подзоны. Строение материала, ширина ЗЗ и режим облучения определяют эффективность накопления и заселенность локализованных состояний подзоны, характер электронных переходов. К общим для диэлектриков закономерностям накопления дефектов относятся: доминирование n- типа проводимости и фоточувствительности, смещение уровня Ферми к зоне проводимости, расширение областей наведенных локализованных состояний к разрешенным зонам. | ||
| 330 | |a The influence of the induced and the biographical defects, complexes on their base on the electronic structure after the ion-heat modification was established. Distortion of the electronic structure lead to forming the donors subband in the band gap (BG). Structure of the material and the width of the BG and irradiations regime determine the efficiency of the accumulation of the subband localized states and their population and the character of the electronic transition. The defects accumulation in different dielectrics have a common conformity to natural laws, such as a domination of the n- type conductivity and photosensibility, a displacement a Fermi level to conduction band and a expansion of the regions of the induced localized states to the allowed bands. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 606 | 1 | |a Кристаллы |x Действие ионизирующих излучений |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\66375 |9 82538 | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a отчеты о НИР | |
| 610 | 1 | |a поликристаллы | |
| 610 | 1 | |a оптические свойства | |
| 610 | 1 | |a диэлектрические аномалии | |
| 610 | 1 | |a диэлектрические свойства | |
| 675 | |a 548.0:539(04) |v 3 | ||
| 701 | 1 | |a Лопатин |b В. В. |c электрофизик |c доктор физико-математических наук, профессор Томского политехнического университета, заместитель директора по научной работе ИФВТ ТПУ |f 1947- |g Владимир Васильевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\20662 | |
| 701 | 1 | |a Суров |b Ю. П. | |
| 701 | 1 | |a Конусов |b Ф. В. |c физик |c ведущий инженер Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1958- |g Федор Валерьевич |y Томск |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30120 |9 14526 | |
| 701 | 1 | |a Касенов |b Ф. К. | |
| 701 | 1 | |a Кабышев |b А. В. |c специалист в области электроэнергетики |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1958- |g Александр Васильевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27068 | |
| 701 | 1 | |a Дедков |b В. С. | |
| 701 | 1 | |a Гриняев |b С. Н. |c физик |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1951- |g Сергей Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28952 | |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20200828 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=751195 | |
| 942 | |c CF | ||