Pulse plasma-chemical synthesis of nanosized silicon dioxide from metal-organic precursor tetraethoxysilane; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 10-3

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957-
Т. 55, № 10-3.— 2012.— [С. 361-363]
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН)
Other Authors: Sazonov R. V. Roman Vladimirovich, Ponomarev D. V. Denis Vladimirovich, Kholodnaya G. E. Galina Evgenievna, Remnev G. E. Gennady Efimovich
Summary:Заглавие с экрана
The work is devoted to the investigations of the plasma-chemical synthesis of nanosized silicon dioxide from metal-organic precursor (tetraethoxysilane) and to the analysis of the properties of the obtained powder. The synthesis of the nanosized oxide was performed on the basis of the laboratory setup comprising a TEA-500 pulse electron accelerator and a reaction chamber. The morphology of the obtained oxide has been studied. The chemical and element composition of the solid-phase product of the plasma-chemical synthesis has been determined. The particles of the synthesized nanosized silicon dioxide have a spherical shape, the average size being 40-80 nm. The C - ? bond is typical for all synthesized SiO 2 samples.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Language:English
Published: 2012
Subjects:
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=21131106
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637514

MARC

LEADER 00000nla0a2200000 4500
001 637514
005 20250422092730.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\1666 
090 |a 637514 
100 |a 20140923d2012 k||y0rusy50 ba 
101 0 |a eng 
102 |a RU 
135 |a drnn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Pulse plasma-chemical synthesis of nanosized silicon dioxide from metal-organic precursor tetraethoxysilane  |f R. V. Sazonov [et al.] 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Заглавие с экрана 
330 |a The work is devoted to the investigations of the plasma-chemical synthesis of nanosized silicon dioxide from metal-organic precursor (tetraethoxysilane) and to the analysis of the properties of the obtained powder. The synthesis of the nanosized oxide was performed on the basis of the laboratory setup comprising a TEA-500 pulse electron accelerator and a reaction chamber. The morphology of the obtained oxide has been studied. The chemical and element composition of the solid-phase product of the plasma-chemical synthesis has been determined. The particles of the synthesized nanosized silicon dioxide have a spherical shape, the average size being 40-80 nm. The C - ? bond is typical for all synthesized SiO 2 samples. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Известия вузов. Физика  |o научный журнал  |f Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)  |d 1957- 
463 |t Т. 55, № 10-3  |v [С. 361-363]  |d 2012 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a plasma-chemical synthesis 
610 1 |a metal-organic precursor 
610 1 |a electron beam 
610 1 |a silicon dioxide 
701 1 |a Sazonov  |b R. V.  |c physicist  |c senior researcher of Tomsk Polytechnic University, candidate of physico-mathematical Sciences  |f 1984-  |g Roman Vladimirovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32698  |9 16584 
701 1 |a Ponomarev  |b D. V.  |c physicist  |c Senior researcher of Tomsk Polytechnic University, Candidate of technical sciences  |f 1981-  |g Denis Vladimirovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32702 
701 1 |a Kholodnaya  |b G. E.  |c electrophysicist  |c Associate Scientist of Tomsk Polytechnic University, candidate of technical Sciences  |f 1986-  |g Galina Evgenievna  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32699  |9 16585 
701 1 |a Remnev  |b G. E.  |c physicist  |c Professor of Tomsk Polytechnic University, Doctor of technical sciences  |f 1948-  |g Gennady Efimovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31500 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ)  |b Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений (ТЭВН)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18692 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160202  |g RCR 
850 |a 63413507 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=21131106 
942 |c CF