Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Физика твердого тела.— 2009.— [С. 33-38]
Otros Autores:	Кабышев А. В. Александр Васильевич, Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ложников С. Н., Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович, Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Sumario:	Заглавие с экрана
Lenguaje:	ruso
Publicado:	2009
Materias:	электронный ресурс труды учёных ТПУ пленки абляция осаждение арсенид галлия
Acceso en línea:	http://asu.edu.ru/images/File/Izdatelstvo/2009%20monografii/sbornik%20troodov%202009/Kol-v%20avtorov%20_Bulatov%20M.F._.pdf#page=33
Formato:	Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637392

Ejemplares similares

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publicado: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicado: (2011)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publicado: (2014)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2013)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2014)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Publicado: (2014)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2010)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
por: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publicado: (Москва, Энергия, 1974)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Publicado: (2013)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Publicado: (Москва, Мир, 1980)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicado: (2009)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
por: Сытенко Т. Н.
Publicado: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 9/3
Publicado: (2014)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)

Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2002)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2018)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publicado: (Ташкент, Фан, 1986)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
por: Толбанов О. П.
Publicado: (2003)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publicado: (2011)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
por: Каплан Б. Я.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1969)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2002)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2003)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
por: Стебенева В. И.
Publicado: (2018)

Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)
por: Клименов В. А. Василий Александрович
Publicado: (2012)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
por: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2000)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publicado: (Томск, 2000)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2011)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2002)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1977)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2014)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
por: Сараева В. Е.
Publicado: (1989)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Publicado: (Москва, Наука, 1973)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
por: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publicado: (Томск, 2002)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)

Арсенид галлия: сборник статей
Publicado: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Разработка и исследование детекторов на основе арсенида галлия для цифровой маммографии; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
por: Прокопьев Д. Г.
Publicado: (2011)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (Томск, 2003)