Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом

Bibliografiske detaljer
Parent link:	Взаимодействие излучений с твердым телом.— 2009.— [С. 240-243]
Andre forfattere:	Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich, Konusov F. V. Fedor Valerievich, Lozhnikov S. N., Remnev G. E. Gennady Efimovich, Saltymakov M. S. Maksim Sergeevich
Summary:	Заглавие с титульного листа A singularities and advantages of the optical, photoelectric and electrical properties of GaAs in comparison with other available materials for electronics, for example, silicon allow to manufacture on it base the devices having an advanced characteristics. The GaAs for electronics, obtained from the dense ablation plasma, possess some preferences as compared to material manufactured by traditional methods of vacuum deposition. The electrical characteristics of GaAs produced by chemical deposition were extensively studied. Purpose of this work is investigation the current-voltage characteristics of thin films of GaAs, deposited on polycrystalline corundum (polycor) from plasma forming the power ions bunch and determination of the thermal vacuum annealing effect on photoelectric and electrical properties of films. Peculiarities of optical, photoelectric and current-voltage characteristics of films obtained by ions ablation are determined by deposition conditions and resistance of initial target GaAs. The transitions between the states with low- and high conduction were revealed directly after deposition in films having the optical properties similar to amorphous materials and/or after annealing in films with properties similar to initial target GaAs. Behavior of current-voltage characteristics at vacuum annealing correlates with Schottky barrier height and photosensitivity and is accompanies of the transport mechanism change. The stable properties of films are formed at its dark conduction 10-10-10-8 s and after annealing at Tan=600-700 K.
Sprog:	engelsk
Udgivet:	2009
Serier:	Структура и свойства покрытий
Fag:	электронный ресурс труды учёных ТПУ электроперенос абляция арсенид галлия электрические свойства отжиг
Online adgang:	http://inis.iaea.org/search/search.aspx?orig_q=RN:41006860
Format:	Electronisk Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637391

Lignende værker

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Udgivet: (2011)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2013)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Udgivet: (2014)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Udgivet: (2014)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
af: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Udgivet: (2012)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Udgivet: (2009)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Udgivet: (2011)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Udgivet: (2011)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
af: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Udgivet: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
af: Спирина А. А. Анна Александровна
Udgivet: (Новосибирск, 2023)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
af: Ардышев М. В.
Udgivet: (2004)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2012)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Udgivet: (2007)

Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
af: Чернявский А. В. Александр Викторович
Udgivet: (2011)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
af: Пешев В. В. Владимир Викторович
Udgivet: (2005)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
af: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Udgivet: (2014)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Udgivet: (2013)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
af: Толбанов О. П.
Udgivet: (2003)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 9/3
Udgivet: (2014)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
af: Сараева В. Е.
Udgivet: (1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
af: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Udgivet: (2018)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
af: Long Stephen I
Udgivet: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2010)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Udgivet: (Москва, Мир, 1980)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
af: Ардышев М. В.
Udgivet: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
af: Толбанов О. П. Олег Петрович
Udgivet: (Томск, 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
af: Потапов А. И. Александр Иванович
Udgivet: (Томск, 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
af: Максимова Н. К.
Udgivet: (Томск, 1972)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
af: Пешев В. В.
Udgivet: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
af: Толбанов О. П. Олег Петрович
Udgivet: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
af: Потапов А. И. Александр Иванович
Udgivet: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
af: Карлова Г. Ф.
Udgivet: (2011)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
af: Карлова Г. Ф.
Udgivet: (2003)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
af: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2012)

Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
af: Прокопьев Д. Г.
Udgivet: (2011)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Udgivet: (Новосибирск, Наука, 1977)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
af: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Udgivet: (2002)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
af: Каплан Б. Я.
Udgivet: (Москва, [Б. и.], 1969)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Udgivet: (Ташкент, Фан, 1986)