Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010

Մատենագիտական մանրամասներ
Parent link:	ФВЗЧК-2010.— 2010.— [С. 205]
Հիմնական հեղինակ:	Кабышев А. В. Александр Васильевич
Այլ հեղինակներ:	Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Ամփոփում:	Заглавие с экрана
Լեզու:	ռուսերեն
Հրապարակվել է:	2010
Խորագրեր:	электронный ресурс труды учёных ТПУ пленки GaAs абляция оптические свойства осаждение
Առցանց հասանելիություն:	http://danp.sinp.msu.ru/pci2010/Theses2010.pdf#page=205
Ձևաչափ:	Էլեկտրոնային Գրքի գլուխ
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637386

Նմանատիպ նյութեր

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
‌: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2012)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
‌: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Հրապարակվել է: (2011)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
‌: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Հրապարակվել է: (2016)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
‌: Нишизава Дж.-И.
Հրապարակվել է: (2003)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Հրապարակվել է: (2014)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Հրապարակվել է: (2003)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Հրապարակվել է: (1998)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Հրապարակվել է: (2007)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
‌: Синягина М. А.
Հրապարակվել է: (2013)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Հրապարակվել է: (2009)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Հրապարակվել է: (2011)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
‌: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2013)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
‌: Спирина А. А. Анна Александровна
Հրապարակվել է: (Новосибирск, 2023)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Հրապարակվել է: (2003)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
‌: Ayzenshtat G. I.
Հրապարակվել է: (2017)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
‌: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Հրապարակվել է: (Томск, 2023)

Структура и оптические свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией меди в газовой среде; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
‌: Гончарова Д. А.
Հրապարակվել է: (2018)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Հրապարակվել է: (2010)

Структура и свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией латуни в жидкости; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
‌: Гончарова Д. А.
Հրապարակվել է: (2017)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
‌: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2014)

Исследование фотокаталитических свойств модифицированных порошков ZnO, полученных импульсной лазерной абляцией; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
‌: Гавриленко Е. А.
Հրապարակվել է: (2018)

Исследование дисперсий полученных импульсной лазерной абляцией титана в воде и водных растворах перекиси; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
‌: Юнакова С. В.
Հրապարակվել է: (2018)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Հրապարակվել է: (2009)

Влияние содержания Pt на фотокаталитические свойства темного TiO2, полученного импульсной лазерной абляцией; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
‌: Федорович Ж. П.
Հրապարակվել է: (2022)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Հրապարակվել է: (2016)

Features of silicon-containing coatings deposition from ablation plasma formed by a powerful ion beam; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552 : International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Հրապարակվել է: (2014)

Оптические свойства пленок азотосодержащего оксида титана, осажденных магнетронным распылением; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
‌: Сунь Чжилэй
Հրապարակվել է: (2019)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
‌: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
‌: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2013)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Հրապարակվել է: (2011)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
‌: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
‌: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2013)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 326, № 5
‌: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Հրապարակվել է: (2015)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
‌: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
‌: Ли Цзень Фень
Հրապարակվել է: (Томск, [Б. и.], 2006)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
‌: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
‌: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Հրապարակվել է: (2012)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
‌: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
‌: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Հրապարակվել է: (2014)