Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
| Parent link: | Взаимодействие излучений с твердым телом.— 2011.— [С. 306-308] |
|---|---|
| Autres auteurs: | , , , |
| Résumé: | Заглавие с титульного листа Перспективным направлением электроники является объединение соединений AIIIBV, обладающих уникальными оптическими и электрическими свойствами, с кремнием, как эффективной и экономичной подложкой. Проблемы роста полярного полупроводника на неполярной подложке решены частично и стимулируют поиск новых методов получения структур GaAs на Si. Импульсные методы осаждения пленок обладают преимуществами по сравнению с традиционными. Осаждение GaAs из плазмы, создаваемой мощным ионным пучком, не уступает по скорости роста и качеству пленкам, синтезированным импульсными методами. Свойства пленок, осажденных импульсной ионной абляцией изучены недостаточно. В работе исследованы оптические, электрические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных на поликристаллический кремний из плазмы, сформированной ионным пучком. Установлено влияние на характеристики пленок термического отжига при Р≤10-2 Па, Тотж=300-900 К. Характеристики пленок GaAs/Si в зависимости от условий их осаждения меняются в широких пределах. Влияние Si отражается на полевых, температурных, энергетических, барьерных и спектральных характеристиках структуры Ag/GaAs/Si. Отжиг меняет свойства пленок вследствие изменения их стехиометрического состава, аннигиляции дефектов, преобразования их в комплексы и изменений морфологии. Оптимальные свойства получены после отжиге при 300-600 К. |
| Langue: | russe |
| Publié: |
2011
|
| Collection: | Пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктур |
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://www.elib.bsu.by/handle/123456789/28063 |
| Format: | Électronique Chapitre de livre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637382 |