|
|
|
|
| LEADER |
00000naa0a2200000 4500 |
| 001 |
637382 |
| 005 |
20250528094426.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\network\1499
|
| 035 |
|
|
|a RU\TPU\network\1493
|
| 090 |
|
|
|a 637382
|
| 100 |
|
|
|a 20140904d2011 k||y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 135 |
|
|
|a drcn ---uucaa
|
| 181 |
|
0 |
|a i
|
| 182 |
|
0 |
|a b
|
| 200 |
1 |
|
|a Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства
|f А. В. Кабышев [и др.]
|
| 203 |
|
|
|a Текст
|c электронный
|
| 225 |
1 |
|
|a Пучковые методы формирования наноматериалов и наноструктур
|
| 300 |
|
|
|a Заглавие с титульного листа
|
| 320 |
|
|
|a [Библиогр.: с. 308 (22 назв.)]
|
| 330 |
|
|
|a Перспективным направлением электроники является объединение соединений AIIIBV, обладающих уникальными оптическими и электрическими свойствами, с кремнием, как эффективной и экономичной подложкой. Проблемы роста полярного полупроводника на неполярной подложке решены частично и стимулируют поиск новых методов получения структур GaAs на Si. Импульсные методы осаждения пленок обладают преимуществами по сравнению с традиционными. Осаждение GaAs из плазмы, создаваемой мощным ионным пучком, не уступает по скорости роста и качеству пленкам, синтезированным импульсными методами. Свойства пленок, осажденных импульсной ионной абляцией изучены недостаточно. В работе исследованы оптические, электрические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных на поликристаллический кремний из плазмы, сформированной ионным пучком. Установлено влияние на характеристики пленок термического отжига при Р≤10-2 Па, Тотж=300-900 К. Характеристики пленок GaAs/Si в зависимости от условий их осаждения меняются в широких пределах. Влияние Si отражается на полевых, температурных, энергетических, барьерных и спектральных характеристиках структуры Ag/GaAs/Si. Отжиг меняет свойства пленок вследствие изменения их стехиометрического состава, аннигиляции дефектов, преобразования их в комплексы и изменений морфологии. Оптимальные свойства получены после отжиге при 300-600 К.
|
| 337 |
|
|
|a Adobe Reader
|
| 463 |
|
|
|t Взаимодействие излучений с твердым телом
|o материалы 9-й Международной конференции, 20-22 сентября 2011 г., г. Минск
|f Белорусский государственный университет (БГУ)
|v [С. 306-308]
|d 2011
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный ресурс
|
| 610 |
1 |
|
|a труды учёных ТПУ
|
| 610 |
1 |
|
|a электроперенос
|
| 610 |
1 |
|
|a пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a арсенид галлия
|
| 610 |
1 |
|
|a абляция
|
| 610 |
1 |
|
|a кремний
|
| 701 |
|
1 |
|a Кабышев
|b А. В.
|c специалист в области электроэнергетики
|c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук
|f 1958-
|g Александр Васильевич
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27068
|
| 701 |
|
1 |
|a Конусов
|b Ф. В.
|c физик
|c ведущий инженер Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук
|f 1958-
|g Федор Валерьевич
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30120
|9 14526
|
| 701 |
|
1 |
|a Ложников
|b С. Н.
|
| 701 |
|
1 |
|a Ремнев
|b Г. Е.
|c физик
|c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук
|f 1948-
|g Геннадий Ефимович
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22004
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20151026
|g RCR
|
| 850 |
|
|
|a 63413507
|
| 856 |
4 |
|
|u http://www.elib.bsu.by/handle/123456789/28063
|
| 942 |
|
|
|c CF
|
