Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
| Parent link: | Взаимодействие излучений с твердым телом.— 2013.— [С. 193-195] |
|---|---|
| 第一著者: | Кабышев А. В. Александр Васильевич |
| 共著者: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1 |
| その他の著者: | Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Павлов С. К. Сергей Константинович |
| 要約: | Заглавие с титульного листа Исследованы энергетические характеристики и механизмы темновой и фотопроводимости пленок арсенида галлия, полученных осаждением на подложку поликристаллического корунда (поликора) из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком. Установлено влияние условий осаждения, типа мишени и отжига в вакууме при остаточном давлении Р=10-2 Па и температуре Тотж=300-1200 К на электрические и фотоэлектрические характеристики пленок. Определены вклады в температурные зависимости темновой и фотопроводимости синтезированных пленок активационной и прыжковой компонент. Тип доминирующих носителей заряда и соотношение между вкладами в проводимость активационной и прыжковой составляющих меняется при вариации условий осаждения и последующей за осаждением термообработки. Выделяется три стадии отжига Тотж=300-600, 600-800 и 800-1200 К с характерными особенностями изменения параметров и механизма электропереноса. При отжиге 300-600 К изменение энергетических характеристик проводимости обусловлено перераспределением заселенности между мелкими и более глубокими локализованными состояниями дефектов, распределенными в запрещенной зоне материала пленок. Аннигиляция нестабильных собственных дефектов и комплексов на их основе влияет на изменение соотношений между параметрами проводимости, фоточувствительности и типа проводимости при отжиге 600-800 К. Повышение устойчивости свойств пленок после термообработки и увеличение плотности состояний для прыжкового переноса при Тотж=800-1200 К обусловлено кластеризацией дефектов. |
| 言語: | ロシア語 |
| 出版事項: |
2013
|
| 主題: | |
| オンライン・アクセス: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49057 |
| フォーマット: | 電子媒体 図書の章 |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637376 |
類似資料
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
出版事項: (2014)
出版事項: (2014)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
出版事項: (2011)
出版事項: (2011)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
出版事項: (2013)
出版事項: (2013)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 9/3
出版事項: (2014)
出版事項: (2014)
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
出版事項: (2009)
出版事項: (2009)
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
出版事項: (2011)
出版事項: (2011)
Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
出版事項: (2014)
出版事項: (2014)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
出版事項: (2009)
出版事項: (2009)
Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
出版事項: (2011)
出版事項: (2011)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2014)
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2014)
Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2012)
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2012)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2010)
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2010)
Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
著者:: Сытенко Т. Н.
出版事項: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)
著者:: Сытенко Т. Н.
出版事項: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)
Электроперенос в жидких металлах: теория и приложения
著者:: Михайлов В. А. Владимир Андреевич
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1978)
著者:: Михайлов В. А. Владимир Андреевич
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1978)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2012)
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2012)
Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2011)
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2011)
Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
出版事項: (Ташкент, Фан, 1986)
出版事項: (Ташкент, Фан, 1986)
Электроперенос и его приложения
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1982)
出版事項: (Новосибирск, Наука, 1982)
Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
著者:: Пешев В. В.
出版事項: (2002)
著者:: Пешев В. В.
出版事項: (2002)
Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
著者:: Семенова В. И. Валерия Игоревна
出版事項: (2018)
著者:: Семенова В. И. Валерия Игоревна
出版事項: (2018)
Современные приборы на основе арсенида галлия: пер. с англ.
著者:: Шур М. С. Михаил Саулович
出版事項: (Москва, Мир, 1991)
著者:: Шур М. С. Михаил Саулович
出版事項: (Москва, Мир, 1991)
Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (электроперенос)
著者:: Фикс В. Б. Владимир Борисович
出版事項: (Москва, Наука, 1969)
著者:: Фикс В. Б. Владимир Борисович
出版事項: (Москва, Наука, 1969)
Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
著者:: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
出版事項: (Москва, Энергия, 1974)
著者:: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
出版事項: (Москва, Энергия, 1974)
Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
著者:: Толбанов О. П.
出版事項: (2003)
著者:: Толбанов О. П.
出版事項: (2003)
Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
著者:: Ардышев М. В.
出版事項: (2002)
著者:: Ардышев М. В.
出版事項: (2002)
Оптические свойства поликристаллического оксида алюминия после облучения ионами железа и отжига; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 4
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2007)
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2007)
Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)
著者:: Клименов В. А. Василий Александрович
出版事項: (2012)
著者:: Клименов В. А. Василий Александрович
出版事項: (2012)
Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
著者:: Ардышев М. В.
出版事項: (2004)
著者:: Ардышев М. В.
出版事項: (2004)
Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
著者:: Стебенева В. И.
出版事項: (2018)
著者:: Стебенева В. И.
出版事項: (2018)
Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
著者:: Карлова Г. Ф.
出版事項: (2003)
著者:: Карлова Г. Ф.
出版事項: (2003)
Структура и свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией латуни в жидкости; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
著者:: Гончарова Д. А.
出版事項: (2017)
著者:: Гончарова Д. А.
出版事項: (2017)
Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
著者:: Каплан Б. Я.
出版事項: (Москва, [Б. и.], 1969)
著者:: Каплан Б. Я.
出版事項: (Москва, [Б. и.], 1969)
Влияние совместной имплантации ионов железа и хрома на оптические свойства оксида алюминия; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 4
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2010)
著者:: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2010)
Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
著者:: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2000)
著者:: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2000)
Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)
Релаксация наведённого тока в приборах на основе арсенида галлия после воздействия гамма-импульса; Физика твердого тела
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2002)
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2002)
Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2002)
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (2002)
Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
著者:: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
出版事項: (Томск, 2000)
著者:: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
出版事項: (Томск, 2000)
Исследование фотокаталитических свойств модифицированных порошков ZnO, полученных импульсной лазерной абляцией; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
著者:: Гавриленко Е. А.
出版事項: (2018)
著者:: Гавриленко Е. А.
出版事項: (2018)
Структура и оптические свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией меди в газовой среде; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
著者:: Гончарова Д. А.
出版事項: (2018)
著者:: Гончарова Д. А.
出版事項: (2018)
類似資料
-
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
出版事項: (2014) -
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
出版事項: (2011) -
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
出版事項: (2013) -
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 9/3
出版事項: (2014) -
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
出版事項: (2009)