Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
| Parent link: | Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.— , 1995- № 2.— 2014.— [С. 65-68] |
|---|---|
| Auteur principal: | Кабышев А. В. Александр Васильевич |
| Collectivités auteurs: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ) |
| Autres auteurs: | Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович |
| Résumé: | Заглавие с экрана Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства пленок арсенида галлия, полученных осаждением на подложку поликристаллического корунда из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком. Установлено влияние отжига в вакууме (P = 10-2 Па, T = 300-1200 К), на воздухе и химической сульфидной пассивации из спиртового раствора на характеристики поверхностной темновой проводимости и фотопроводимости пленок. Определены оптимальные условия термической и химической обработок, при которых достигаются наиболее устойчивые изменения свойств пленок. Повышение стабильности электрических и фотоэлектрических характеристик пленок в результате термообработки обусловлено отжигом дефектов и их кластеризацией. Сульфидная пассивация меняет характеристики и повышает стабильность свойств к окислению на воздухе. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Langue: | russe |
| Publié: |
2014
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21124954 |
| Format: | Électronique Chapitre de livre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637373 |
Documents similaires
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publié: (2011)
Publié: (2011)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publié: (2014)
Publié: (2014)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publié: (2009)
Publié: (2009)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2013)
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2013)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publié: (2011)
Publié: (2011)
Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publié: (2011)
Publié: (2011)
Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
par: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publié: (2014)
par: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publié: (2014)
Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2011)
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2011)
Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2012)
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2012)
Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Publié: (2014)
Publié: (2014)
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publié: (2009)
Publié: (2009)
Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
par: Сытенко Т. Н.
Publié: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)
par: Сытенко Т. Н.
Publié: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)
Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
par: Пешев В. В.
Publié: (2002)
par: Пешев В. В.
Publié: (2002)
Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
par: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publié: (2018)
par: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publié: (2018)
Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publié: (Ташкент, Фан, 1986)
Publié: (Ташкент, Фан, 1986)
Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
par: Толбанов О. П.
Publié: (2003)
par: Толбанов О. П.
Publié: (2003)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Publié: (2013)
Publié: (2013)
Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
par: Каплан Б. Я.
Publié: (Москва, [Б. и.], 1969)
par: Каплан Б. Я.
Publié: (Москва, [Б. и.], 1969)
Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Ардышев М. В.
Publié: (2002)
par: Ардышев М. В.
Publié: (2002)
Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
par: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publié: (Москва, Энергия, 1974)
par: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publié: (Москва, Энергия, 1974)
Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Ардышев М. В.
Publié: (2004)
par: Ардышев М. В.
Publié: (2004)
Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
par: Карлова Г. Ф.
Publié: (2003)
par: Карлова Г. Ф.
Publié: (2003)
Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
par: Стебенева В. И.
Publié: (2018)
par: Стебенева В. И.
Publié: (2018)
Радиационный контроль полуизолирующего арсенида галлия; Вестник науки Сибири; № 3 (4)
par: Клименов В. А. Василий Александрович
Publié: (2012)
par: Клименов В. А. Василий Александрович
Publié: (2012)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 9/3
Publié: (2014)
Publié: (2014)
Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2002)
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2002)
Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
par: Сараева В. Е.
Publié: (1989)
par: Сараева В. Е.
Publié: (1989)
Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
par: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publié: (Томск, 2002)
par: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publié: (Томск, 2002)
Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (Томск, Изд-во ТПУ, 2005)
Арсенид галлия: сборник статей
Publié: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)
Publié: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)
Разработка и исследование детекторов на основе арсенида галлия для цифровой маммографии; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
par: Прокопьев Д. Г.
Publié: (2011)
par: Прокопьев Д. Г.
Publié: (2011)
Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (Томск, 2003)
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (Томск, 2003)
Применение электронной оже-спектроскопии к исследованию полупроводниковых структур на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.07
par: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publié: (Томск, 1985)
par: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publié: (Томск, 1985)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, 1999)
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, 1999)
Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2003)
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2003)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, 1999)
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, 1999)
Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
par: Максимова Н. К.
Publié: (Томск, 1972)
par: Максимова Н. К.
Publié: (Томск, 1972)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)
Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
par: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publié: (2005)
par: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publié: (2005)
Documents similaires
-
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publié: (2011) -
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publié: (2014) -
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publié: (2009) -
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2013) -
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publié: (2011)