Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2

書誌詳細
Parent link:	Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.— , 1995- № 2.— 2014.— [С. 65-68]
第一著者:	Кабышев А. В. Александр Васильевич
共著者:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
その他の著者:	Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
要約:	Заглавие с экрана Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства пленок арсенида галлия, полученных осаждением на подложку поликристаллического корунда из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком. Установлено влияние отжига в вакууме (P = 10-2 Па, T = 300-1200 К), на воздухе и химической сульфидной пассивации из спиртового раствора на характеристики поверхностной темновой проводимости и фотопроводимости пленок. Определены оптимальные условия термической и химической обработок, при которых достигаются наиболее устойчивые изменения свойств пленок. Повышение стабильности электрических и фотоэлектрических характеристик пленок в результате термообработки обусловлено отжигом дефектов и их кластеризацией. Сульфидная пассивация меняет характеристики и повышает стабильность свойств к окислению на воздухе. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
言語:	ロシア語
出版事項:	2014
主題:	электронный ресурс труды учёных ТПУ абляция арсенид галлия плазма пассивация пленки
オンライン･アクセス:	http://elibrary.ru/item.asp?id=21124954
フォーマット:	電子媒体図書の章
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637373

その他の書誌記述
要約:	Заглавие с экрана Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства пленок арсенида галлия, полученных осаждением на подложку поликристаллического корунда из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком. Установлено влияние отжига в вакууме (P = 10-2 Па, T = 300-1200 К), на воздухе и химической сульфидной пассивации из спиртового раствора на характеристики поверхностной темновой проводимости и фотопроводимости пленок. Определены оптимальные условия термической и химической обработок, при которых достигаются наиболее устойчивые изменения свойств пленок. Повышение стабильности электрических и фотоэлектрических характеристик пленок в результате термообработки обусловлено отжигом дефектов и их кластеризацией. Сульфидная пассивация меняет характеристики и повышает стабильность свойств к окислению на воздухе. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса

類似資料