Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
| Parent link: | Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.— , 1995- № 2.— 2014.— [С. 65-68] |
|---|---|
| Glavni autor: | |
| Autori kompanije: | , , |
| Daljnji autori: | , |
| Sažetak: | Заглавие с экрана Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства пленок арсенида галлия, полученных осаждением на подложку поликристаллического корунда из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком. Установлено влияние отжига в вакууме (P = 10-2 Па, T = 300-1200 К), на воздухе и химической сульфидной пассивации из спиртового раствора на характеристики поверхностной темновой проводимости и фотопроводимости пленок. Определены оптимальные условия термической и химической обработок, при которых достигаются наиболее устойчивые изменения свойств пленок. Повышение стабильности электрических и фотоэлектрических характеристик пленок в результате термообработки обусловлено отжигом дефектов и их кластеризацией. Сульфидная пассивация меняет характеристики и повышает стабильность свойств к окислению на воздухе. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Izdano: |
2014
|
| Teme: | |
| Online pristup: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21124954 |
| Format: | Elektronički Poglavlje knjige |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637373 |
| Sažetak: | Заглавие с экрана Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства пленок арсенида галлия, полученных осаждением на подложку поликристаллического корунда из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком. Установлено влияние отжига в вакууме (P = 10-2 Па, T = 300-1200 К), на воздухе и химической сульфидной пассивации из спиртового раствора на характеристики поверхностной темновой проводимости и фотопроводимости пленок. Определены оптимальные условия термической и химической обработок, при которых достигаются наиболее устойчивые изменения свойств пленок. Повышение стабильности электрических и фотоэлектрических характеристик пленок в результате термообработки обусловлено отжигом дефектов и их кластеризацией. Сульфидная пассивация меняет характеристики и повышает стабильность свойств к окислению на воздухе. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|