Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1

Détails bibliographiques
Parent link:	Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques: Scientific Journal Vol. 8, iss. 1.— 2014.— [P. 158-163]
Auteur principal:	Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Collectivités auteurs:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ)
Autres auteurs:	Konusov F. V. Fedor Valerievich, Remnev G. E. Gennady Efimovich
Résumé:	Title screen The electric and photoelectric properties of gallium-arsenide films deposited on a polycrystalline corundum substrate from the ablation plasma formed by a high-power ion beam are investigated. It is ascertained that vacuum and air annealing (in the former case, P = 10?2 Pa and T = 300–1200 K) and sulfide chemical passivation in an alcoholic solution affect the characteristics of the dark conductivity and photo-conductivity of the film surfaces. The optimal conditions for thermal and chemical treatment, at which the most stable changes in film the properties are attained, are determined. Enhancement in the stability of the electrical and photoelectric characteristics of films, which is achieved after thermal treatment, arises from the annealing of defects and their clusterization. Sulfide passivation leads to changes in the characteristics and increases the stability of properties under air oxidation. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Langue:	anglais
Publié:	2014
Sujets:	электронный ресурс труды учёных ТПУ пассивация пленки арсенид галлия абляционная плазма
Accès en ligne:	http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1027451014010285
Format:	Électronique Chapitre de livre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637371

Documents similaires

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
par: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publié: (2012)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
par: Long Stephen I
Publié: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publié: (2011)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2014)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Publié: (2014)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publié: (2011)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
par: Ayzenshtat G. I.
Publié: (2017)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publié: (2009)

A complex of spectrochemical, mass-spectrometric and atomic-absorption methods for the analysis of thin layers of gallium arsenide and silicon semiconductors: [offprint]
par: Yudelevich I. G.
Publié: (Vienna, Springer-Verlag, 1978)

Glass composite modified with silicon carbide and gallium arsenide, that absorbs electromagnetic radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 1019 : 14th International Forum on Strategic Technology (IFOST 2019)
par: Kazmina O. V. Olga Viktorovna
Publié: (2021)

Biocoatings formed from ablation plasma; Перспективы развития фундаментальных наук
par: Volokitina T. L. Tatiana Leonidovna
Publié: (2012)

Optical properties of GaAs films deposited via pulsed ion ablation; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 5, iss. 2
par: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publié: (2011)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
par: Толбанов О. П.
Publié: (2003)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
par: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publié: (2018)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
par: Сараева В. Е.
Publié: (1989)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publié: (Томск, 1999)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publié: (2009)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publié: (2014)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Ардышев М. В.
Publié: (2004)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Publié: (Москва, Мир, 1980)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, 1999)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Ардышев М. В.
Publié: (2002)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publié: (2011)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publié: (Томск, 2000)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Карлова Г. Ф.
Publié: (2011)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
par: Максимова Н. К.
Publié: (Томск, 1972)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
par: Пешев В. В.
Publié: (2002)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
par: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
par: Потапов А. И. Александр Иванович
Publié: (Томск, [Б. и.], 1999)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
par: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2012)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Publié: (2007)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
par: Карлова Г. Ф.
Publié: (2003)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publié: (Новосибирск, Наука, 1977)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
par: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publié: (Томск, [Б. и.], 2000)

Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Чернявский А. В. Александр Викторович
Publié: (2011)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
par: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publié: (2005)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
par: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publié: (2002)

Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
par: Прокопьев Д. Г.
Publié: (2011)