High Intensive Short Pulsed Ions Implantation Effect on Electrical and Photoelectrical Properties of Polycrystalline Silicon; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-3
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 55, № 12-3.— 2012.— [С. 58-61] |
|---|---|
| 主要作者: | Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich |
| Corporate Authors: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Энергетический институт (ЭНИН) Кафедра электроснабжения промышленных предприятий (ЭПП), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1, Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра водородной энергетики и плазменных технологий (ВЭПТ) |
| 其他作者: | Konusov F. V. Fedor Valerievich, Remnev G. E. Gennady Efimovich |
| 總結: | Title screen The electrical and photoelectrical properties of the polycrystalline silicon after high intensive short pulsed implantation of carbon ions were investigated. A vacuum annealing effect under the pressure of 10 -2 Pa and temperature of 3001200 K on the characteristics of the surface dark conduction and photoconduction was determined. We determined the optimal conditions of thermal treatment during which we achieved changes in the properties more stable to thermal and field excitation. The implantation affects the silicon properties owing to accumulation of the radiation damage and the formation of the inclusions of new nanosized phases. The influence of the induced structural-phases inhomogeneities on the properties is determined by the dose of the incorporated ions and annealing conditions. The type of the conduction changes depending on concentration of the defects. The change in properties after annealing obeys to the regularities which are proper for the ion-heat modification of materials. After annealing in the temperature interval of 300-700 K the alternations in the characteristics are stipulated by dissociation of the donor defect complexes. The nanocrystals sintered at 700-1000 K and their size growth stably affect the characteristics. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| 語言: | 英语 |
| 出版: |
2012
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | http://elibrary.ru/item.asp?id=19015552 |
| 格式: | 電子 Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637365 |
相似書籍
The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
由: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
出版: (2012)
由: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
出版: (2012)
Электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 6
由: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版: (2013)
由: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版: (2013)
Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation; Russian Physics Journal; Vol. 56, iss. 6
由: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
出版: (2013)
由: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
出版: (2013)
Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на свойства поликристаллического кремния; ФВЗЧК-2013
由: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版: (2013)
由: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版: (2013)
Formation of repetitively pulsed high-intensity, low-energy silicon ion beams; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment; Vol. 953
出版: (2020)
出版: (2020)
Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
出版: (2014)
出版: (2014)
Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве
由: Борисенко В. Е. Виктор Евгеньевич
出版: (Минск, Наука и техника, 1992)
由: Борисенко В. Е. Виктор Евгеньевич
出版: (Минск, Наука и техника, 1992)
Особенности импульсного отжига слоёв кремния, имплантированных ионами германия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
出版: (2011)
出版: (2011)
Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
由: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版: (2012)
由: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版: (2012)
Mobile ions in metal-oxide-silicon structures; effects of ion implantation and annealing
由: Greeuw G. Gerrit
出版: (Shevwood, Geboren te Noord-Scharwoude, 1984)
由: Greeuw G. Gerrit
出版: (Shevwood, Geboren te Noord-Scharwoude, 1984)
Импульсный синтез соединений для кремниевой оптоэлектроники; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
由: Баязитов Р. М.
出版: (2011)
由: Баязитов Р. М.
出版: (2011)
Modeling of carbon penetration into silicon structure under the action of pulsed high-intensity ion beam; Surface and Coatings Technology; Vol. 306, Pt. A : Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB 2015)
由: Aktaev N. E. Nurken Erbolatovich
出版: (2016)
由: Aktaev N. E. Nurken Erbolatovich
出版: (2016)
Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
由: Чернявский А. В. Александр Викторович
出版: (2011)
由: Чернявский А. В. Александр Викторович
出版: (2011)
Molecular Dynamics Simulations of Vacancy Generation and Migration near a Monocrystalline Silicon Surface during Energetic Cluster Ion Implantation; Coatings; Vol. 10, iss. 2
出版: (2020)
出版: (2020)
Технология получения поликристаллического кремния фторидным способом; Физико-технические проблемы атомной энергетики и промышленности
由: Андреев А. А. Артем Андреевич
出版: (2007)
由: Андреев А. А. Артем Андреевич
出版: (2007)
Автоматизация процесса вакуумного отжига титановых конструкций; Промышленные АСУ и контроллеры; № 2
由: Соколов Ю. А.
出版: (2003)
由: Соколов Ю. А.
出版: (2003)
Математическая модель SIEMENS-реактора производства поликристаллического кремния как объект управления; Становление и развитие научных исследований в высшей школе; Т. 1
由: Козин К. А. Кирилл Андреевич
出版: (2009)
由: Козин К. А. Кирилл Андреевич
出版: (2009)
Анализ и обоснование возможности применения высокочастотного тока для нагрева стержней-основ установки производства поликристаллического кремния; Автоматизация и управление в промышленности, науке и образовании
出版: (2009)
出版: (2009)
Modification of silicon under synergy of high-intensity implantation of titanium ions and energy influence of a high-power ion beam on a surface; Materials. Technologies. Design; Т. 6, № 1
出版: (2024)
出版: (2024)
Кн. 1; Технология СБИС
出版: (1986)
出版: (1986)
The Influence of High-Power Ion Beams and High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Ceramic Silicon Carbide; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
出版: (2016)
出版: (2016)
Influence of Surface Modification of Nitinol with Silicon Using Plasma-Immersion Ion Implantation on the Alloy Corrosion Resistance in Artificial Physiological Solutions; AIP Conference Proceedings; Vol. 1683 : Advanced Materials with Hierarchical Structure for New Technologies and Reliable Structures
出版: (2015)
出版: (2015)
High Intensity low Aluminum Ion Energy Implantation into Titanium; Ion Implantation Technology (IIT 2018)
出版: (2018)
出版: (2018)
Способ получения поликристаллического кремния
出版: ()
出版: ()
Компьютерная модель установки водородного восстановления как объекта управления; Автоматизация и управление в промышленности, науке и образовании
出版: (2009)
出版: (2009)
Blister formation in ZrN/SiN multilayers after He irradiation; Surface and Coatings Technology; Vol. 334
出版: (2018)
出版: (2018)
Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
出版: (2011)
出版: (2011)
Устройство для регулируемого нагревания кремниевых стержней
出版: ()
出版: ()
Influence of the High-Intensity Short-Pulse Implantation of Ions on the Properties of Polycrystalline Silicon; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 6
出版: (2014)
出版: (2014)
Исследование влияния неоднородности характеристик исходного материала кремния на параметры фотоэлектрических преобразователей; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 314, № 2: Математика и механика. Физика
由: Лапатин Л. Г.
出版: (2009)
由: Лапатин Л. Г.
出版: (2009)
Установка для получения поликристаллического кремния
出版: ()
出版: ()
Способ переработки кубового остатка, содержащего полисиланхлориды
出版: ()
出版: ()
High-Intensity Implantation of Metal Ions in Conditions of Minimizing Ion Sputtering of the Material Surface; Surface Modification of Materials by Ion Beams (SMMIB-2019)
出版: (2019)
出版: (2019)
The surface alloying effect of silicon in a binary NiTi-base alloy on the corrosion resistance and biocompatibility of the material; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 9
出版: (2013)
出版: (2013)
Установка для получения стержней поликристаллического кремния
出版: ()
出版: ()
Алгоритм управления Siemens-реактором производства поликристаллического кремния; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 315, № 5: Управление, вычислительная техника и информатика
出版: (2009)
出版: (2009)
Разъемный реактор для получения стержней поликристаллического кремния
出版: ()
出版: ()
High-intensity low energy titanium ion implantation into zirconium alloy; Applied Surface Science; Vol. 439
出版: (2018)
出版: (2018)
Алгоритм управления Siemens-реактором призводства поликристаллического кремния; Современные техника и технологии; Т. 2
由: Козин К. А. Кирилл Андреевич
出版: (2010)
由: Козин К. А. Кирилл Андреевич
出版: (2010)
Управление процессами массопереноса при получении поликристаллического кремния методом Бриджмена; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 320, № 2 : Математика и механика. Физика
由: Цивинская Ю. С.
出版: (2012)
由: Цивинская Ю. С.
出版: (2012)
相似書籍
-
The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
由: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
出版: (2012) -
Электрические и фотоэлектрические свойства поликристаллического кремния после высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 6
由: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版: (2013) -
Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation; Russian Physics Journal; Vol. 56, iss. 6
由: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
出版: (2013) -
Влияние высокоинтенсивной короткоимпульсной имплантации ионов на свойства поликристаллического кремния; ФВЗЧК-2013
由: Кабышев А. В. Александр Васильевич
出版: (2013) -
Formation of repetitively pulsed high-intensity, low-energy silicon ion beams; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment; Vol. 953
出版: (2020)