Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3

Библиографические подробности
Источник:	Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.— , 1995- № 3.— 2011.— [С. 27-34]
Главный автор:	Кабышев А. В. Александр Васильевич
Другие авторы:	Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Примечания:	Заглавие с экрана Оптическое отражение и поглощение пленок арсенида галлия, осажденных на поликристаллический корунд, кварцевое стекло и медную фольгу из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком, исследовано в интервале энергии 1.1–6.2 эВ. Экспоненциальное и межзонное поглощение материала пленок обусловлено дефектами кристаллической решетки GaAs и сложным составом пленок, в котором преобладают нанокристаллические включения в аморфную фазу. Оптимальными для применения в оптоэлектронике и солнечной фотоэнергетике свойствами обладают пленки, осажденные на поликоре в центре плазменного факела с использованием низкоомной мишени. Термообработка в вакууме при 300–850 К меняет оптические свойства пленок вследствие отжига дефектов и изменения структурно-фазового состава материала. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Язык:	русский
Опубликовано:	2011
Предметы:	электронный ресурс труды учёных ТПУ оптические свойства GaAs пленки абляция
Online-ссылка:	http://elibrary.ru/item.asp?id=15639163
Формат:	Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637360

Схожие документы

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2010)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2012)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
по: Нишизава Дж.-И.
Опубликовано: (2003)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Опубликовано: (1998)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2014)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Опубликовано: (2003)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Опубликовано: (2007)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
по: Синягина М. А.
Опубликовано: (2013)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
по: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Опубликовано: (2016)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Опубликовано: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Опубликовано: (2011)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2013)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Опубликовано: (2003)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Опубликовано: (2011)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
по: Ayzenshtat G. I.
Опубликовано: (2017)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Опубликовано: (2010)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
по: Спирина А. А. Анна Александровна
Опубликовано: (Новосибирск, 2023)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Опубликовано: (2009)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
по: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Опубликовано: (Томск, 2023)

Структура и свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией латуни в жидкости; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Гончарова Д. А.
Опубликовано: (2017)

Структура и оптические свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией меди в газовой среде; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Гончарова Д. А.
Опубликовано: (2018)

Исследование фотокаталитических свойств модифицированных порошков ZnO, полученных импульсной лазерной абляцией; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Гавриленко Е. А.
Опубликовано: (2018)

Исследование дисперсий полученных импульсной лазерной абляцией титана в воде и водных растворах перекиси; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Юнакова С. В.
Опубликовано: (2018)

Влияние содержания Pt на фотокаталитические свойства темного TiO2, полученного импульсной лазерной абляцией; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
по: Федорович Ж. П.
Опубликовано: (2022)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
по: Шашурин В. Д.
Опубликовано: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100); Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
Опубликовано: (2005)

Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (Москва, Наука, 1996-)

№ 4; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2019)

№ 5; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2019)

№ 10; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2018)

№ 11; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2018)

№ 12; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2018)

№ 1; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2019)

№ 2; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2019)

№ 3; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2019)

№ 3; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2020)

№ 4; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2020)

№ 5; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2020)

№ 6; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2020)

№ 7; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Опубликовано: (2020)