Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
| Parent link: | Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.— , 1995- № 3.— 2011.— [С. 27-34] |
|---|---|
| Egile nagusia: | Кабышев А. В. Александр Васильевич |
| Beste egile batzuk: | Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович |
| Gaia: | Заглавие с экрана Оптическое отражение и поглощение пленок арсенида галлия, осажденных на поликристаллический корунд, кварцевое стекло и медную фольгу из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком, исследовано в интервале энергии 1.1–6.2 эВ. Экспоненциальное и межзонное поглощение материала пленок обусловлено дефектами кристаллической решетки GaAs и сложным составом пленок, в котором преобладают нанокристаллические включения в аморфную фазу. Оптимальными для применения в оптоэлектронике и солнечной фотоэнергетике свойствами обладают пленки, осажденные на поликоре в центре плазменного факела с использованием низкоомной мишени. Термообработка в вакууме при 300–850 К меняет оптические свойства пленок вследствие отжига дефектов и изменения структурно-фазового состава материала. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Hizkuntza: | errusiera |
| Argitaratua: |
2011
|
| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | http://elibrary.ru/item.asp?id=15639163 |
| Formatua: | Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637360 |
Antzeko izenburuak
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2010)
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2010)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2012)
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2012)
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
nork: Нишизава Дж.-И.
Argitaratua: (2003)
nork: Нишизава Дж.-И.
Argitaratua: (2003)
Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Argitaratua: (1998)
Argitaratua: (1998)
Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Argitaratua: (2003)
Argitaratua: (2003)
Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Argitaratua: (2007)
Argitaratua: (2007)
Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
nork: Синягина М. А.
Argitaratua: (2013)
nork: Синягина М. А.
Argitaratua: (2013)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2014)
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2014)
Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
nork: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Argitaratua: (2016)
nork: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Argitaratua: (2016)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Argitaratua: (2014)
Argitaratua: (2014)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Argitaratua: (2011)
Argitaratua: (2011)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2013)
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2013)
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Argitaratua: (2011)
Argitaratua: (2011)
Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Argitaratua: (2003)
Argitaratua: (2003)
The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
nork: Ayzenshtat G. I.
Argitaratua: (2017)
nork: Ayzenshtat G. I.
Argitaratua: (2017)
Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Argitaratua: (2010)
Argitaratua: (2010)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Argitaratua: (2009)
Argitaratua: (2009)
Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
nork: Спирина А. А. Анна Александровна
Argitaratua: (Новосибирск, 2023)
nork: Спирина А. А. Анна Александровна
Argitaratua: (Новосибирск, 2023)
Структура и оптические свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией меди в газовой среде; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
nork: Гончарова Д. А.
Argitaratua: (2018)
nork: Гончарова Д. А.
Argitaratua: (2018)
Структура и свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией латуни в жидкости; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
nork: Гончарова Д. А.
Argitaratua: (2017)
nork: Гончарова Д. А.
Argitaratua: (2017)
Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
nork: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Argitaratua: (Томск, 2023)
nork: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Argitaratua: (Томск, 2023)
Исследование фотокаталитических свойств модифицированных порошков ZnO, полученных импульсной лазерной абляцией; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
nork: Гавриленко Е. А.
Argitaratua: (2018)
nork: Гавриленко Е. А.
Argitaratua: (2018)
Исследование дисперсий полученных импульсной лазерной абляцией титана в воде и водных растворах перекиси; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
nork: Юнакова С. В.
Argitaratua: (2018)
nork: Юнакова С. В.
Argitaratua: (2018)
Влияние содержания Pt на фотокаталитические свойства темного TiO2, полученного импульсной лазерной абляцией; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
nork: Федорович Ж. П.
Argitaratua: (2022)
nork: Федорович Ж. П.
Argitaratua: (2022)
Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
nork: Шашурин В. Д.
Argitaratua: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
nork: Шашурин В. Д.
Argitaratua: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)
Исследование дефекности эпитаксиальных пленок InP, выращенных на GaAs (100); Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
Argitaratua: (2005)
Argitaratua: (2005)
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Argitaratua: (2009)
Argitaratua: (2009)
Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Argitaratua: (Москва, Наука, 1996-)
Argitaratua: (Москва, Наука, 1996-)
Оптические свойства оксида алюминия после облучения ионами кобальта; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 4
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2009)
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2009)
Оптические свойства оксида алюминия после облучения ионами кобальта; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 4
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2009)
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2009)
Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Argitaratua: (2011)
Argitaratua: (2011)
№ 8; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Argitaratua: (2018)
Argitaratua: (2018)
№ 9; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Argitaratua: (2018)
Argitaratua: (2018)
№ 4; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Argitaratua: (2019)
Argitaratua: (2019)
№ 5; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Argitaratua: (2019)
Argitaratua: (2019)
№ 5; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Argitaratua: (2021)
Argitaratua: (2021)
№ 12; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Argitaratua: (2020)
Argitaratua: (2020)
№ 3; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Argitaratua: (2022)
Argitaratua: (2022)
№ 9; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Argitaratua: (2022)
Argitaratua: (2022)
№ 1; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования
Argitaratua: (2021)
Argitaratua: (2021)
Antzeko izenburuak
-
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2010) -
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
nork: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Argitaratua: (2012) -
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
nork: Нишизава Дж.-И.
Argitaratua: (2003) -
Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Argitaratua: (1998) -
Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Argitaratua: (2003)