Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.— , 1995- № 3.— 2011.— [С. 27-34]
Autor principal:	Кабышев А. В. Александр Васильевич
Altres autors:	Конусов Ф. В. Федор Валерьевич, Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович
Sumari:	Заглавие с экрана Оптическое отражение и поглощение пленок арсенида галлия, осажденных на поликристаллический корунд, кварцевое стекло и медную фольгу из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком, исследовано в интервале энергии 1.1–6.2 эВ. Экспоненциальное и межзонное поглощение материала пленок обусловлено дефектами кристаллической решетки GaAs и сложным составом пленок, в котором преобладают нанокристаллические включения в аморфную фазу. Оптимальными для применения в оптоэлектронике и солнечной фотоэнергетике свойствами обладают пленки, осажденные на поликоре в центре плазменного факела с использованием низкоомной мишени. Термообработка в вакууме при 300–850 К меняет оптические свойства пленок вследствие отжига дефектов и изменения структурно-фазового состава материала. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Publicat:	2011
Matèries:	электронный ресурс труды учёных ТПУ оптические свойства GaAs пленки абляция
Accés en línia:	http://elibrary.ru/item.asp?id=15639163
Format:	Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=637360

Ítems similars

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2010)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
per: Нишизава Дж.-И.
Publicat: (2003)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства
Publicat: (2011)

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers
Publicat: (1998)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Publicat: (2014)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]
Publicat: (2003)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1
per: Синягина М. А.
Publicat: (2013)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка
Publicat: (2007)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
per: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Publicat: (2016)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация
Publicat: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства
Publicat: (2009)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2014)

Структура и оптические свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией меди в газовой среде
per: Гончарова Д. А.
Publicat: (2018)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
per: Спирина А. А. Анна Александровна
Publicat: (Новосибирск, 2023)

Исследование фотокаталитических свойств модифицированных порошков ZnO, полученных импульсной лазерной абляцией
per: Гавриленко Е. А.
Publicat: (2018)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб
Publicat: (2003)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide
per: Ayzenshtat G. I.
Publicat: (2017)

Структура и свойства наночастиц, полученных импульсной лазерной абляцией латуни в жидкости
per: Гончарова Д. А.
Publicat: (2017)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения
Publicat: (2010)

Оптические свойства пленок азотосодержащего оксида титана, осажденных магнетронным распылением
per: Сунь Чжилэй
Publicat: (2019)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией
Publicat: (2011)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
per: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Publicat: (Томск, 2023)

Оптические свойства пленок ITO
per: Петрюк А. Е.
Publicat: (2018)

Исследование дисперсий полученных импульсной лазерной абляцией титана в воде и водных растворах перекиси
per: Юнакова С. В.
Publicat: (2018)

Влияние содержания Pt на фотокаталитические свойства темного TiO2, полученного импульсной лазерной абляцией
per: Федорович Ж. П.
Publicat: (2022)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation
Publicat: (2014)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
per: Шашурин В. Д.
Publicat: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Влияние типа мишени магнетронного диода на оптические свойства плёнок кремния
per: Бельгебаева Д. Е.
Publicat: (2019)

Исследование оптических свойств нанопорошков высокодефектного диоксида титана
per: Палатова А. В.
Publicat: (2018)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂
per: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Publicat: (2015)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation
Publicat: (2009)

Электрические и фотоэлектрические свойства пленок, осажденных на нитриде бора из электроразрядной титансодержащей плазмы
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)

О влиянии условий осаждения на механические и оптические свойства кремний-углеродных плёнок
per: Гренадёров А. С.
Publicat: (2018)

Особенности вольт-амперных характеристик пленок арсенида галлия, полученных импульсной ионной абляцией
Publicat: (2009)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией
Publicat: (2014)

Конструкционные свойства пластмасс (Физико-химические основы применения) перевод с английского
Publicat: (Москва, Химия, 1967)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
per: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicat: (Новосибирск, 2025)

Лазерное восстановление оксида графена: локальное управление свойствами материала
Publicat: (2023)