Моделирование состава стеклопокрытия для защиты p-n перехода; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1

Моделирование состава стеклопокрытия для защиты p-n перехода; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1

Библиографические подробности
Источник:	Химия и химическая технология в XXI веке: материалы XXIV Международной научно-практической конференции студентов и молодых ученых имени выдающихся химиков Л. П. Кулёва и Н. М. Кижнера, посвященной 85-летию со дня рождения профессора А. В. Кравцова, Томск, 15-19 мая 2023 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Инженерная школа природных ресурсов ; Инженерная школа новых производственных технологий ; Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий ; Инженерная школа ядерных технологий.— , 2023 Т. 1.— 2023.— [С. 132-133]
Главный автор:	Нестеренко А. А.
Автор-организация:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Научно-образовательный центр Н. М. Кижнера
Другие авторы:	Дитц А. А. Александр Андреевич (научный руководитель)
Примечания:	Заглавие с титульного экрана
Язык:	русский
Опубликовано:	2023
Серии:	Химия и химическая технология неорганических веществ и материалов
Предметы:	труды учёных ТПУ электронный ресурс моделирование составы стеклопокрытия защита p-n переходы стекла подложки металлический кремний
Online-ссылка:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/76622
Формат:	Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=635800

Схожие документы

Разработка составов стёкол для защиты p-n перехода; Химия и химическая технология в XXI веке; Т. 1
по: Комаров Д. В.
Опубликовано: (2024)

Лавинный пробой p-n - перехода в полупроводниках
по: Грехов И. В. Игорь Всеволодович
Опубликовано: (Ленинград, Энергия, 1980)

Метод определения температуры p-n перехода светоизлучающих диодов по спаду интенсивности излучения; Современные техника и технологии; Т. 1
по: Гущин В. А.
Опубликовано: (2012)

Физика p - n-переходов
Опубликовано: (Рига, Зинатне, 1966)

Стеклопокрытия для порошков сверхтвердых материалов
по: Шило А. Е. Анатолий Ефимович
Опубликовано: (Киев, Наук. думка, 1988)

Частотная модуляция с помощью емкостей p-n переходов
по: Чудаков И. М. Игорь Михайлович
Опубликовано: (Москва, Связь, 1968)

Изучение выпрямляющих свойств электронно-дырочного перехода учебно-методическое пособие
по: Владимирова Л. Н.
Опубликовано: (Воронеж, ВГУ, 2019)

Распределение потенциала, поля и концентраций носителей тока в области сильного поля вплавленных p-n-переходов и pin-структур: Ч. 1; Известия вузов. Физика; № 1
по: Рябинкин Ю. С.
Опубликовано: (1960)

Распределение потенциала, поля и концентраций носителей тока в области сильного поля вплавленных p-n-переходов и pin-структур: Ч. 2; Известия вузов. Физика; № 3
по: Рябинкин Ю. С.
Опубликовано: (1960)

Технология и оборудование производства силовых полупроводниковых приборов: учебник для техникумов
по: Булкин А. Д. Анатолий Дмитриевич
Опубликовано: (Москва, Энергоатомиздат, 1984)

Управляемые полупроводниковые вентили. Принцицы действия и области применения p-n-p-n устройств: пер. с англ.
Опубликовано: (Москва, Мир, 1967)

Общая физика полупроводников: учебное пособие для вузов
по: Мейлихов Е. З. Евгений Залманович
Опубликовано: (Москва, МФТИ, 2006)

Новые методы расчета электрических полей и пробивных напряжений p-n переходов в полупроводниковых приборах: монография
по: Петров Б. К. Борис Константинович
Опубликовано: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 2008)

Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах p-n-p-n структуры
по: Арефьев А. А. Александр Афанасьевич
Опубликовано: (Москва, Радио и связь, 1982)

Основы теории полупроводниковых приборов
по: Пикус Г. Е. Григорий Езекиелевич
Опубликовано: (Москва, Наука, 1965)

Электроника
по: Горбачев А. А.
Опубликовано: (Калининград, БФУ им. И.Канта, 2022)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
по: Кудряшов В. Е.
Опубликовано: (2003)

Физические основы электроники. Контакты металл–полупроводник учебно-методическое пособие
по: Дорогой С. В.
Опубликовано: (Новосибирск, НГТУ, 2019)

Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп: пер. с англ.
по: Маделунг О.
Опубликовано: (Москва, Мир, 1967)

Исследование физико-химических явлений на поверхности германия: кинетика и механизм растворения германия и влияние химических воздействий на электрофизические свойства поверхности и стабильность параметров p-n переходов: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора химических наук
по: Катаев Г. А.
Опубликовано: (Томск, Изд-во Томского ун-та, 1967)

Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах
по: Зуев В. А. Владимир Алексеевич
Опубликовано: (Москва, Советское радио, 1977)

СВЧ фазовращатели и переключатели. Особенности создания на p-i-n-диодах в интегральном исполнении
по: Хижа Г. С. Георгий Степанович
Опубликовано: (Москва, Радио и связь, 1984)

Многофункциональные арсенидгаллиевые тонкопереходные структуры
по: Каримов А. В. Абдулазиз Вахитович
Опубликовано: (Ташкент, Фан, 1992)

Полупроводниковые элементы электронных устройств
по: Орлов Г. А.
Опубликовано: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Эпитаксиальные кремниевые слои на диэлектрических подложках и приборы на их основе
по: Папков В. С. Владимир Сергеевич
Опубликовано: (Москва, Энергия, 1979)

Effect of N2 to total pressure ratio on the structure, mechanical and tribological properties of magnetron-sputtered Ti-Al-Ta-Si-N coatings; Surface and Coatings Technology; Vol. 492
Опубликовано: (2024)

Источники опорного напряжения и тока
по: Линден Т. Х.
Опубликовано: (Москва, ДМК Пресс, 2015)

Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем методические указания
по: Кольцов Г. И.
Опубликовано: (Москва, МИСИС, 2001)

Теория и расчет полупроводниковых приборов: Твердотельная электроника лабораторный практикум
по: Кольцов Г. И.
Опубликовано: (Москва, МИСИС, 2010)

Влияние облучения кремния быстрыми нейтронами на электрические свойства сплавного р-n-перехода, полученного на его основе; Известия вузов. Физика; № 4
по: Зайдман С. А.
Опубликовано: (1965)

Анализ эффективности жидкофазных огнетушащих составов на основе жидкого стекла; Экология и безопасность в техносфере: современные проблемы и пути решения; Т. 2
по: Юркина В. А. Варвара Александровна
Опубликовано: (2015)

Исследование смачиваемости модельных подложек; Современные техника и технологии; Т. 3
по: Чебодаева В. В. Валентина Вадимовна
Опубликовано: (2013)

Исследование смачиваемости модельных подложек; Перспективы развития фундаментальных наук
по: Чебодаева В. В. Валентина Вадимовна
Опубликовано: (2013)

Влияние температуры и состава стекла на угол смачивания нитрида алюминия; Современные техника и технологии; Т. 1
по: Тарновский Р. В.
Опубликовано: ()

Кинетическая теория лазеров
по: Машкевич В. С. Владимир Стефанович
Опубликовано: (Москва, Наука, 1971)

Полупроводники-сегнетоэлектрики: межвузовский сборник; Вып. 3
Опубликовано: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1984)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
по: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Опубликовано: (Новосибирск, 2025)

Влияние способа сваpки на стpуктуpу и свойства сваpных соединений pазноpодных сталей; Сварочное производство; № 12
по: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Опубликовано: (2009)

Анализ эффективности жидкофазных огнетушащих составов на примере состава на основе жидкого стекла; Неразрушающий контроль: электронное приборостроение, технологии, безопасность; Т. 2
по: Чалдаева Е. И.
Опубликовано: (2015)

Пространства типа Соболева-Винера и асимптотические свойства их функций
по: Янов С. И.
Опубликовано: (Барнаул, АлтГПУ, 2007)