Повышение механических свойств керамики из карбида кремния при электронно-пучковой обработке

Bibliografiska uppgifter
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XVI Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 23-26 апреля 2019 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2019
Т. 1 : Физика.— 2019.— [С. 199-201]
Huvudupphovsman: Леонов А. А. Андрей Андреевич
Institutionella upphovsmän: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа новых производственных технологий Отделение материаловедения, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Исследовательская школа химических и биомедицинских технологий Научно-исследовательский центр "Физическое материаловедение и композитные материалы"
Övriga upphovsmän: Устюжанин С. В. (727), Полисадова В. В. Валентина Валентиновна, Иванов Ю. Ф. Юрий Федорович
Sammanfattning:Заглавие с экрана
Study results of the phase composition, microstructure and mechanical properties of the surface layer of SiC-ceramics treated by an intense pulsed low-energy electron beam are presented. It is shown that irradiation leads to the formation of a nanostructured state and an increase SiC-15R polytype content, which is accompanied by improved mechanical properties of the SiC surface layer.
Språk:ryska
Publicerad: 2019
Ämnen:
Länkar:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/55830
Materialtyp: Elektronisk Bokavsnitt
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=629684
Beskrivning
Sammanfattning:Заглавие с экрана
Study results of the phase composition, microstructure and mechanical properties of the surface layer of SiC-ceramics treated by an intense pulsed low-energy electron beam are presented. It is shown that irradiation leads to the formation of a nanostructured state and an increase SiC-15R polytype content, which is accompanied by improved mechanical properties of the SiC surface layer.