Влияние импульсного ионного облучения на прочностные свойства керамики AL[2]O[3]; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Dades bibliogràfiques
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XVI Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 23-26 апреля 2019 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2019
Т. 1 : Физика.— 2019.— [С. 181-183]
Autor principal: Костенко В. Валерия
Autor corporatiu: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт неразрушающего контроля (ИНК) Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП)
Altres autors: Гынгазов С. А. Сергей Анатольевич (научный руководитель)
Sumari:Заглавие с экрана
The effect of high-power pulsed carbon ions beams on the strength properties of Al[2]O[3] ceramics was investigated. Ion irradiation was carried out on a TEMP-4M pulse accelerator. It was found that at the current density of the ion beam of 15 A/cm{2}, the energy density in the pulse of 0.3 j/cm{2} with the number of pulses from 20 to 300 there is an increase in nanohardness and modulus of elasticity by an average of 13%.
Idioma:rus
Publicat: 2019
Matèries:
Accés en línia:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/55824
Format: MixedMaterials Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=629678

MARC

LEADER 00000naa2a2200000 4500
001 629678
005 20231101133555.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\conf\30408 
035 |a RU\TPU\conf\30406 
090 |a 629678 
100 |a 20190904d2019 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus  |d eng 
102 |a RU 
105 |a y z 100zy 
135 |a drgn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Влияние импульсного ионного облучения на прочностные свойства керамики AL[2]O[3]  |d The influence of pulsed ion irradiation on mechanical properties of ceramics AL[2]O[3]  |f В. Костенко  |g науч. рук. С. А. Гынгазов 
203 |a Текст  |c электронный 
230 |a 1 компьютерный файл (pdf; 226 Kb) 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 183 (5 назв.)] 
330 |a The effect of high-power pulsed carbon ions beams on the strength properties of Al[2]O[3] ceramics was investigated. Ion irradiation was carried out on a TEMP-4M pulse accelerator. It was found that at the current density of the ion beam of 15 A/cm{2}, the energy density in the pulse of 0.3 j/cm{2} with the number of pulses from 20 to 300 there is an increase in nanohardness and modulus of elasticity by an average of 13%. 
461 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\30347  |t Перспективы развития фундаментальных наук  |l Prospects of Fundamental Sciences Development  |o сборник научных трудов XVI Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 23-26 апреля 2019 г.  |o в 7 т.  |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой  |d 2019 
463 1 |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\30348  |t Т. 1 : Физика  |v [С. 181-183]  |d 2019 
510 1 |a The influence of pulsed ion irradiation on mechanical properties of ceramics AL[2]O[3]  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a импульсное облучение 
610 1 |a ионное облучение 
610 1 |a прочностные свойства 
610 1 |a керамика 
610 1 |a керамические материалы 
610 1 |a ионные пучки 
610 1 |a углерод 
610 1 |a приповерхностные слои 
700 1 |a Костенко  |b В.  |c специалист в области электротехники  |c лаборант-исследователь Томского политехнического университета  |f 1994-  |g Валерия  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\42078 
702 1 |a Гынгазов  |b С. А.  |c специалист в области электроники  |c ведущий научный сотрудник Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1958-  |g Сергей Анатольевич  |2 stltpush  |4 727 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт неразрушающего контроля (ИНК)  |b Проблемная научно-исследовательская лаборатория электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП)  |h 194  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19033 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20190925  |g RCR 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/55824 
942 |c BK