Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т; Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине; Ч. 1
| Parent link: | Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине: сборник научных трудов V Международной научной конференции, 17-21 декабря 2018 г., Томск/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Томский государственный педагогический университет (ТГПУ) ; под ред. О. Г. Берестневой [и др.].— , 2018 Ч. 1.— 2018.— [С. 139-143] |
|---|---|
| Institutionella upphovsmän: | , |
| Övriga upphovsmän: | , , , |
| Sammanfattning: | Заглавие с титульного экрана Control of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation. |
| Språk: | ryska |
| Publicerad: |
2018
|
| Serie: | Моделирование в научных исследованиях |
| Ämnen: | |
| Länkar: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/52342 |
| Materialtyp: | MixedMaterials Elektronisk Bokavsnitt |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=628879 |