Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т; Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине; Ч. 1
| Parent link: | Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине: сборник научных трудов V Международной научной конференции, 17-21 декабря 2018 г., Томск/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Томский государственный педагогический университет (ТГПУ) ; под ред. О. Г. Берестневой [и др.].— , 2018 Ч. 1.— 2018.— [С. 139-143] |
|---|---|
| Corporate Authors: | , |
| Other Authors: | , , , |
| Summary: | Заглавие с титульного экрана Control of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation. |
| Language: | Russian |
| Published: |
2018
|
| Series: | Моделирование в научных исследованиях |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/52342 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=628879 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 628879 | ||
| 005 | 20250821104126.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\29213 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\29212 | ||
| 090 | |a 628879 | ||
| 100 | |a 20190114d2018 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a y z 101zy | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т |d Modeling of irradiation process and cooling silicon during of neutrontransmutation doping on the reactor IRT-T |f Н. В. Смольников [и др.] | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 225 | 1 | |a Моделирование в научных исследованиях | |
| 300 | |a Заглавие с титульного экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 143 (2 назв.)] | ||
| 330 | |a Control of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation. | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\29207 |t Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине |o сборник научных трудов V Международной научной конференции, 17-21 декабря 2018 г., Томск |o в 2 ч. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Томский государственный педагогический университет (ТГПУ) ; под ред. О. Г. Берестневой [и др.] |d 2018 | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\29208 |t Ч. 1 |v [С. 139-143] |d 2018 | |
| 510 | 1 | |a Modeling of irradiation process and cooling silicon during of neutrontransmutation doping on the reactor IRT-T |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a NTD | |
| 610 | 1 | |a neutron-transmutation doping | |
| 610 | 1 | |a research reactor IRT-T | |
| 610 | 1 | |a silicon doping | |
| 610 | 1 | |a MCU-PTR | |
| 610 | 1 | |a исследовательские реакторы | |
| 610 | 1 | |a облучение | |
| 610 | 1 | |a легирование | |
| 610 | 1 | |a охлаждение | |
| 610 | 1 | |a кремний | |
| 610 | 1 | |a нейтронно-трансмутационное легирование | |
| 610 | 1 | |a ИРТ-Т | |
| 701 | 1 | |a Смольников |b Н. В. |c специалист в области ядерных технологий |c инженер-физик Томского политехнического университета |f 1998- |g Никита Викторович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\42160 |9 21494 | |
| 701 | 1 | |a Лебедев |b И. И. |c специалист в области энергетики |c инженер Томского политехнического университета |f 1990- |g Иван Игоревич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32502 |9 16448 | |
| 701 | 1 | |a Аникин |b М. Н. |c специалист в области ядерных технологий |c начальник службы Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1991- |g Михаил Николаевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32503 |9 16449 | |
| 701 | 1 | |a Наймушин |b А. Г. |c специалист в области ядерных технологий |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1986- |g Артем Георгиевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26460 |9 12163 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Физико-технический институт (ФТИ) |b Лаборатория № 33 ядерного реактора |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19896 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Инженерная школа ядерных технологий |b Отделение ядерно-топливного цикла |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23554 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20190118 |g RCR | |
| 850 | |a 63413507 | ||
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/52342 | |
| 942 | |c BK | ||