Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т; Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине; Ч. 1

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Parent link:	Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине: сборник научных трудов V Международной научной конференции, 17-21 декабря 2018 г., Томск/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Томский государственный педагогический университет (ТГПУ) ; под ред. О. Г. Берестневой [и др.].— , 2018 Ч. 1.— 2018.— [С. 139-143]
Συλλογικό Έργο:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Лаборатория № 33 ядерного реактора, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение ядерно-топливного цикла
Άλλοι συγγραφείς:	Смольников Н. В. Никита Викторович, Лебедев И. И. Иван Игоревич, Аникин М. Н. Михаил Николаевич, Наймушин А. Г. Артем Георгиевич
Περίληψη:	Заглавие с титульного экрана Control of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation.
Γλώσσα:	Ρωσικά
Έκδοση:	2018
Σειρά:	Моделирование в научных исследованиях
Θέματα:	электронный ресурс труды учёных ТПУ NTD neutron-transmutation doping research reactor IRT-T silicon doping MCU-PTR исследовательские реакторы облучение легирование охлаждение кремний нейтронно-трансмутационное легирование ИРТ-Т
Διαθέσιμο Online:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/52342
Μορφή:	Ηλεκτρονική πηγή Κεφάλαιο βιβλίου
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=628879

Περιγραφή
Περίληψη:	Заглавие с титульного экрана Control of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation.

Παρόμοια τεκμήρια