Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т; Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине; Ч. 1

Bibliografske podrobnosti
Parent link:	Информационные технологии в науке, управлении, социальной сфере и медицине: сборник научных трудов V Международной научной конференции, 17-21 декабря 2018 г., Томск/ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; Томский государственный педагогический университет (ТГПУ) ; под ред. О. Г. Берестневой [и др.].— , 2018 Ч. 1.— 2018.— [С. 139-143]
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Лаборатория № 33 ядерного реактора, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Инженерная школа ядерных технологий Отделение ядерно-топливного цикла
Drugi avtorji:	Смольников Н. В. Никита Викторович, Лебедев И. И. Иван Игоревич, Аникин М. Н. Михаил Николаевич, Наймушин А. Г. Артем Георгиевич
Izvleček:	Заглавие с титульного экрана Control of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation.
Jezik:	ruščina
Izdano:	2018
Serija:	Моделирование в научных исследованиях
Teme:	электронный ресурс труды учёных ТПУ NTD neutron-transmutation doping research reactor IRT-T silicon doping MCU-PTR исследовательские реакторы облучение легирование охлаждение кремний нейтронно-трансмутационное легирование ИРТ-Т
Online dostop:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/52342
Format:	Elektronski Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=628879

Opis
Izvleček:	Заглавие с титульного экрана Control of irradiation process and cooling silicon during of neutron-transmutation doping are important part of semiconductor obtaining, which realize due to neutron-physical calculation included neutron and gamma flux distribution into the experimental channel that shows unevenness of doping and quantity of energy release. Research was implemented with the help use of few computer model. One of these created to obtain neutron and gamma flux and another model allow obtaining temperature distribution in solid and liquid matter to assess cooling of natural circulation.

Podobne knjige/članki