Механические характеристики силумина заэвтектического состава, подвергнутого ионно-элекронно-плазменной модификации

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2018
Т. 1 : Физика.— 2018.— [С. 268-270]
প্রধান লেখক: Рыгина М. Е.
সংস্থা লেখক: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт сильноточной электроники (ИСЭ)
অন্যান্য লেখক: Тересов А. Д. (727), Шугуров В. В. Владимир Викторович, Иванов Ю. Ф. Юрий Федорович
সংক্ষিপ্ত:Заглавие с экрана
In this paper, the possibility of modifying the surface of a hypereutectic silumin (Al-(18-24) wt.%Si) is shown. Modification of the samples was carried out in two stages. At the first stage, a "film (Zr-5% Ti-5% Cu) / (Al- (18-24) wt.% Si) film system was formed by an ion-plasma method with an arc-sputtering of a Zr-5% Ti-5 cathode % Cu in the "TRIO" installation (IHCE SB RAS). In the second stage, the surface layer of the silumin of the hypereutectic composition was doped by melting the "film-substrate" system with an intense pulsed electron beam at the "SOLO" installation.
প্রকাশিত: 2018
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/51008
বিন্যাস: বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায়
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=627444
বিবরন
সংক্ষিপ্ত:Заглавие с экрана
In this paper, the possibility of modifying the surface of a hypereutectic silumin (Al-(18-24) wt.%Si) is shown. Modification of the samples was carried out in two stages. At the first stage, a "film (Zr-5% Ti-5% Cu) / (Al- (18-24) wt.% Si) film system was formed by an ion-plasma method with an arc-sputtering of a Zr-5% Ti-5 cathode % Cu in the "TRIO" installation (IHCE SB RAS). In the second stage, the surface layer of the silumin of the hypereutectic composition was doped by melting the "film-substrate" system with an intense pulsed electron beam at the "SOLO" installation.