Антиферромагнитные топологические изоляторы MnBi[2]Te[2]Se[2] и VBi[2]Te[2]Se[2]; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Антиферромагнитные топологические изоляторы MnBi[2]Te[2]Se[2] и VBi[2]Te[2]Se[2]; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Detalles Bibliográficos
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2018
Т. 1 : Физика.— 2018.— [С. 250-252]
Autor Principal: Петров Е. К.
Autor Corporativo: Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)
Outros autores: Меньщикова Т. В. (научный руководитель)
Summary:Заглавие с экрана
Present study is devoted to ab initio investigation of MnBi[2]Te[2]Se[2] and VBi[2]Te[2]Se[2] compounds. It is shown that these compounds hav the electronic structure features typical for a topological insulator. However, these compounds are antiferromagnetically ordered phases. Such antiferromagnetic topological insulators (AFM TI) were predicted in 2010 by Mong et al., and these compunds turn out to satisfy all requirements to be AFM TIs.
Idioma:ruso
Publicado: 2018
Subjects:
электронный ресурс
топологические изоляторы
антиферромагнитные изоляторы
соединения
электронные структуры
конденсированные состояния
спин-орбитальное взаимодействие
Acceso en liña:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/51001
Formato: Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=627438

Títulos similares

Títulos similares