Оптимизация конфигурации активной зоны реактора ИРТ-Т для облучения слитков монокристаллического кремния большого диаметра; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2018 Т. 1 : Физика.— 2018.— [С. 117-119] |
|---|---|
| Hlavní autor: | |
| Korporativní autor: | |
| Další autoři: | , , |
| Shrnutí: | Заглавие с экрана Among all the existing methods of impurity implantation, the highest homogeneity of the electrophysical parameters of silicon is achieved using the technology of neutron transmutation doping (NTD). Therefore, silicon, doped by this technology, is widely used in the world practice to create devices with a minimum scatter of specific electrical resistance: thyristors, charge-coupled devices, radiation detectors, photodetectors. Interest to NTD is due to its two main advantages over conventional metallurgical methods of introducing impurities. This, first, high doping accuracy, since the concentration of impurities introduced at a constant neutron flux is proportional to the time of irradiation, which can be controlled with great accuracy. Secondly, this is a high homogeneity of impurity distribution, which is determined by the random distribution of isotopes and neutron capture cross sections. The creation of technology of NTD of silicon with given properties is a complex problem. To solve it, it is necessary to fulfill the following conditions: to ensure high homogeneity of neutron fluence and optimize the neutron-physical parameters of the irradiation zone to obtain a thermalized neutron spectrum. |
| Jazyk: | ruština |
| Vydáno: |
2018
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50953 |
| Médium: | Elektronický zdroj Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=627391 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 627391 | ||
| 005 | 20250821104003.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\27182 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\27181 | ||
| 090 | |a 627391 | ||
| 100 | |a 20180904d2018 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a y z 100zy | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Оптимизация конфигурации активной зоны реактора ИРТ-Т для облучения слитков монокристаллического кремния большого диаметра |d Optimization of configuration of the IRT-T reactor core for irradiation of the large diameter monocrystalline silicon |f С. К. Дмитриев, Д. Е. Золотых, И. И. Лебедев |g науч. рук. А. Г. Наймушин | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 119 (2 назв.)] | ||
| 330 | |a Among all the existing methods of impurity implantation, the highest homogeneity of the electrophysical parameters of silicon is achieved using the technology of neutron transmutation doping (NTD). Therefore, silicon, doped by this technology, is widely used in the world practice to create devices with a minimum scatter of specific electrical resistance: thyristors, charge-coupled devices, radiation detectors, photodetectors. Interest to NTD is due to its two main advantages over conventional metallurgical methods of introducing impurities. This, first, high doping accuracy, since the concentration of impurities introduced at a constant neutron flux is proportional to the time of irradiation, which can be controlled with great accuracy. Secondly, this is a high homogeneity of impurity distribution, which is determined by the random distribution of isotopes and neutron capture cross sections. The creation of technology of NTD of silicon with given properties is a complex problem. To solve it, it is necessary to fulfill the following conditions: to ensure high homogeneity of neutron fluence and optimize the neutron-physical parameters of the irradiation zone to obtain a thermalized neutron spectrum. | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\26928 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of Fundamental Sciences Development |o сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г. |o в 7 т. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой |d 2018 | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\26929 |t Т. 1 : Физика |v [С. 117-119] |d 2018 | |
| 510 | 1 | |a Optimization of configuration of the IRT-T reactor core for irradiation of the large diameter monocrystalline silicon |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a оптимизация | |
| 610 | 1 | |a конфигурация | |
| 610 | 1 | |a активные зоны | |
| 610 | 1 | |a реакторы | |
| 610 | 1 | |a ИРТ-Т | |
| 610 | 1 | |a облучение | |
| 610 | 1 | |a монокристаллический кремний | |
| 700 | 1 | |a Дмитриев |b С. К. | |
| 701 | 1 | |a Золотых |b Д. Е. |c специалист в области ядерных технологий |c инженер Томского политехнического университета |f 1994- |g Даниил Евгеньевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\41578 | |
| 701 | 1 | |a Лебедев |b И. И. |c специалист в области энергетики |c инженер Томского политехнического университета |f 1990- |g Иван Игоревич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\32502 |9 16448 | |
| 702 | 1 | |a Наймушин |b А. Г. |c специалист в области ядерных технологий |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук |f 1986- |g Артем Георгиевич |4 727 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет |b Инженерная школа ядерных технологий |c (2017- ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\23380 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20181004 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50953 | |
| 942 | |c BK | ||