О влиянии условий осаждения на механические и оптические свойства кремний-углеродных плёнок; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Detalhes bibliográficos
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2018
Т. 1 : Физика.— 2018.— [С. 102-104]
Autor principal: Гренадёров А. С.
Autor Corporativo: Российская академия наук (РАН) Сибирское отделение (СО) Институт сильноточной электроники (ИСЭ)
Outros Autores: Соловьёв А. А. (научный руководитель)
Resumo:Заглавие с экрана
The a-C:H:SiOx films was deposited on glass substrates by plasma-assisted chemical vapor deposition combined with pulsed bipolar substrate bias from mixtures of argon and polyphenylmethylsiloxane vapor. Optical properties of a-C:H:SiOx films were investigated and studied using the transmission spectrum T(lambda) in visible range 300-800 nm. It is shown that integrat ed transparency of a-C:H:SiOx films in visible range from 380-780 nm is 70-89%, band gap is 2,3-2,6 eV, band tail width or Urbach energy is 547-718 meV depend on deposition conditions.
Idioma:russo
Publicado em: 2018
Assuntos:
Acesso em linha:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50947
Formato: Recurso Electrónico Capítulo de Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=627386
Descrição
Resumo:Заглавие с экрана
The a-C:H:SiOx films was deposited on glass substrates by plasma-assisted chemical vapor deposition combined with pulsed bipolar substrate bias from mixtures of argon and polyphenylmethylsiloxane vapor. Optical properties of a-C:H:SiOx films were investigated and studied using the transmission spectrum T(lambda) in visible range 300-800 nm. It is shown that integrat ed transparency of a-C:H:SiOx films in visible range from 380-780 nm is 70-89%, band gap is 2,3-2,6 eV, band tail width or Urbach energy is 547-718 meV depend on deposition conditions.