Электронная структура интерметаллидов на основе редкоземельного элемента и переходного или благородного металла; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

Электронная структура интерметаллидов на основе редкоземельного элемента и переходного или благородного металла; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика

מידע ביבליוגרפי
Parent link:Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2018
Т. 1 : Физика.— 2018.— [С. 84-86]
מחבר ראשי: Вязовская А. Ю.
מחבר תאגידי: Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ)
מחברים אחרים: Отроков М. М. (научный руководитель)
סיכום:Заглавие с экрана
The results of ab initio study of resonant surface states genesis in the vicinity of Γ point for GdRh[2]Si[2] are presented in this work. Our electronic band structure calculations have shown that the resonant surface states are already formed in three atomic layer slab Si-Rh-Si. The states localization within three layer slab causes its resonant nature and presence of these states on Si- and Gd- termination surfaces.
שפה:רוסית
יצא לאור: 2018
נושאים:
электронный ресурс
электронные структуры
редкоземельные элементы
переходные металлы
благородные металлы
поверхностные состояния
גישה מקוונת:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50907
פורמט: אלקטרוני Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=627380

פריטים דומים

פריטים דומים