Электронная структура интерметаллидов на основе редкоземельного элемента и переходного или благородного металла; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
| Parent link: | Перспективы развития фундаментальных наук=Prospects of Fundamental Sciences Development: сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г./ Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой.— , 2018 Т. 1 : Физика.— 2018.— [С. 84-86] |
|---|---|
| 1. autor: | |
| Korporacja: | |
| Kolejni autorzy: | |
| Streszczenie: | Заглавие с экрана The results of ab initio study of resonant surface states genesis in the vicinity of Γ point for GdRh[2]Si[2] are presented in this work. Our electronic band structure calculations have shown that the resonant surface states are already formed in three atomic layer slab Si-Rh-Si. The states localization within three layer slab causes its resonant nature and presence of these states on Si- and Gd- termination surfaces. |
| Język: | rosyjski |
| Wydane: |
2018
|
| Hasła przedmiotowe: | |
| Dostęp online: | http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50907 |
| Format: | Elektroniczne Rozdział |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=627380 |
MARC
| LEADER | 00000naa2a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 627380 | ||
| 005 | 20231101133446.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\conf\27171 | ||
| 035 | |a RU\TPU\conf\27162 | ||
| 090 | |a 627380 | ||
| 100 | |a 20180904d2018 k y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus |d eng | |
| 102 | |a RU | ||
| 105 | |a y z 100zy | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Электронная структура интерметаллидов на основе редкоземельного элемента и переходного или благородного металла |d Electronic structure of intermetallics based on a rare earth element and a transition or noble metal |f А. Ю. Вязовская |g науч. рук. М. М. Отроков | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 230 | |a 1 компьютерный файл (pdf; 752 Kb) | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 86 (5 назв.)] | ||
| 330 | |a The results of ab initio study of resonant surface states genesis in the vicinity of Γ point for GdRh[2]Si[2] are presented in this work. Our electronic band structure calculations have shown that the resonant surface states are already formed in three atomic layer slab Si-Rh-Si. The states localization within three layer slab causes its resonant nature and presence of these states on Si- and Gd- termination surfaces. | ||
| 461 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\26928 |t Перспективы развития фундаментальных наук |l Prospects of Fundamental Sciences Development |o сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, г. Томск, 24-27 апреля 2018 г. |o в 7 т. |f Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) ; под ред. И. А. Курзиной, Г. А. Вороновой |d 2018 | |
| 463 | 1 | |0 (RuTPU)RU\TPU\conf\26929 |t Т. 1 : Физика |v [С. 84-86] |d 2018 | |
| 510 | 1 | |a Electronic structure of intermetallics based on a rare earth element and a transition or noble metal |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a электронные структуры | |
| 610 | 1 | |a редкоземельные элементы | |
| 610 | 1 | |a переходные металлы | |
| 610 | 1 | |a благородные металлы | |
| 610 | 1 | |a поверхностные состояния | |
| 700 | 1 | |a Вязовская |b А. Ю. | |
| 702 | 1 | |a Отроков |b М. М. |4 727 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ) |c (2009- ) |2 stltpush |3 (RuTPU)RU\TPU\col\17230 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20181004 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/50907 | |
| 942 | |c BK | ||